意法半导体股份有限公司S·拉斯库纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110844626.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法是由S·拉斯库纳;C·基布阿罗设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法。一种电子器件包括SiC的固体本体，固体本体具有表面并且具有第一导电性类型。第一注入区域和第二注入区域具有第二导电性类型，并且从表面开始在一方向上延伸到固体本体中，并且在第一注入区域和第二注入区域之间界定固体本体的表面部分。肖特基接触在表面上，并且与表面部分直接接触。欧姆接触在表面上，并且与第一和第二注入区域直接接触。固体本体包括外延层，外延层包括表面部分和体部分。表面部分容纳多个掺杂子区域，多个掺杂子区域彼此接续地在方向上延伸，多个掺杂子区域为第一导电性类型，并且具有比体部分的导电性水平高的相应的导电性水平。
本发明授权具有减小的电压降的碳化硅二极管以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括： 碳化硅的固体本体，具有表面并且具有第一导电性类型； 第一注入区域和第二注入区域，所述第一注入区域和所述第二注入区域具有第二导电性类型，并且从所述表面开始在一方向上延伸到所述固体本体中，并且在所述第一注入区域和所述第二注入区域之间界定所述固体本体的表面部分； 肖特基接触金属部分，在所述表面上，并且与所述表面部分直接接触；以及 欧姆接触金属部分，在所述表面上，并且与所述第一注入区域和所述第二注入区域直接接触； 其中所述固体本体包括外延层，所述外延层包括所述表面部分和体部分，所述表面部分在所述体部分上方延伸，以及 其中所述表面部分包括多个掺杂子区域，所述多个掺杂子区域在所述方向上彼此接续地延伸，每个掺杂子区域具有所述第一导电性类型以及比所述体部分的导电性水平高的相应的导电性水平，所述掺杂子区域中的至少一个掺杂子区域的导电性水平不同于所述掺杂子区域中的至少一个其他掺杂子区域的导电性水平。
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