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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011006528.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质是由大桥直史设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，在一边使基板进行公转一边进行处理的装置中能够对基板载置面周围的结构进行清洁。基板处理装置构成为具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置板，其具备非基板载置面和多个基板载置面；旋转部，其使所述基板载置板旋转；等离子体生成部，其构成为所述非基板载置面上的等离子体密度比所述基板载置面上的等离子体密度高；处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体；清洁气体供给部，其向所述处理室供给清洁气体；以及加热器，其配置于所述基板载置板的下方。

本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具有： 处理室，其由对基板进行处理的处理容器构成； 基板载置板，其具备非基板载置面和多个基板载置面，并具有中心区域、边缘区域以及中间区域，该中心区域由所述非基板载置面中的包含所述处理容器的中心侧的区域构成，该边缘区域包含所述非基板载置面中的所述处理容器的外周侧，该中间区域包含多个所述基板载置面，比所述中心区域靠所述处理容器的外周侧，并设置于比所述边缘区域靠所述处理容器的中心侧； 旋转部，其使所述基板载置板旋转； 等离子体生成部，其构成为所述非基板载置面上的等离子体密度比所述基板载置面上的等离子体密度高； 电介质板，其设置于所述等离子体生成部与所述基板载置板之间； 槽口板，其配置于所述电介质板的上方，并具有设置于所述中心区域、所述边缘区域以及所述中间区域上方的区域的放射孔，所述放射孔的单位面积内的开孔面积构成为，在所述中心区域比在所述中间区域大，或者在所述边缘区域比在所述中间区域大，或者，在所述槽口板中的所述中间区域设置与所述基板载置面对应的无孔部，在所述槽口板中的所述中心区域及所述边缘区域设置具有放射孔的有孔部； 微波供给部，其向所述等离子体生成部供给微波； 处理气体供给部，其向所述处理室供给处理气体； 清洁气体供给部，其向所述处理室供给清洁气体；以及 加热器，其配置于所述基板载置板的下方。

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