上海市激光技术研究所汪于涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海市激光技术研究所申请的专利一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110928551.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备是由汪于涛;骆公序;王丽;刘昆;袁山山;黄羲凌;张磊设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备，包括激光器、光束指向调节系统、扩束镜、功率调节系统、刀口、第三合束镜、光束质量分析仪、积分镜、加热盘、运动平台、电脑、三色温热发射探测器和激光测距仪。功率调节系统由设置在光路上的λ2玻片和偏振片组成。本发明通过激光器固定功率出光，功率调节系统不仅同时控制了输出功率和偏振，还避免了因激光器功率改变导致的光束质量变差和功率稳定性降低等问题；光束质量分析仪，与三色温热发射探测器及功率调节系统共同组成退火功率负反馈系统，根据退火区域温度反馈结果，实时控制退火功率大小及稳定性。
本发明授权一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备在权利要求书中公布了：1.一种用于改善CMOS晶圆浅结工艺的激光退火设备，其特征在于： 包括激光器、光束指向调节系统、扩束镜、功率调节系统、刀口、第三合束镜、光束质量分析仪、积分镜、晶圆片、加热盘、运动平台、电脑、三色温热发射探测器和激光测距仪，所述三色温热发射探测器及激光测距仪位于晶圆片的上方，所述晶圆片放置在加热盘上，所述加热盘放置在运动平台上，所述激光器、光束指向调节系统、功率调节系统、光束质量分析仪、运动平台、激光测距仪及三色温热发射探测器分别与电脑相连接； 所述激光器发出的激光束经过光束指向调节系统后入射到扩束镜中进行扩束，然后经过功率调节系统控制光束的输出功率和偏振角度，再经过刀口去除光斑边缘杂散光，接着利用第三合束镜反射小部分的光束并透射大部分的光束，小部分光束反射进入光束质量分析仪中进行光束检测，透射的大部分光束经过积分镜反射后转换成线光斑汇聚到晶圆片表面用于退火，所述运动平台带动加热盘运动实现退火轨迹。
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