三星电子株式会社李斗珪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113552775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110243843.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法是由李斗珪;李承润;李汀镇;黄灿设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：提供EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法。EUV曝光装置包括：EUV光源；第一光学系统，配置为将来自EUV光源的EUV光传输到EUV掩模；第二光学系统，配置为将从EUV掩模反射的EUV光传输到晶片；掩模平台；晶片平台；以及控制单元，配置为控制掩模平台和晶片平台，其中，基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性，第一套刻参数通过校正第二套刻参数来校正，该第一套刻参数是在晶片上的各层之间的套刻误差的参数中的一个，第二套刻参数是所述套刻误差的参数中的另一参数。
本发明授权EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV曝光装置，包括： EUV光源，配置为发射EUV光； 第一光学系统，配置为将来自所述EUV光源的所述EUV光传输到EUV掩模； 掩模平台，配置为在其上放置所述EUV掩模； 第二光学系统，配置为将从所述EUV掩模反射的所述EUV光传输到晶片平台；以及 控制单元，配置为控制所述掩模平台和所述晶片平台并基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性通过校正所述第二套刻参数来校正所述第一套刻参数， 其中所述第一套刻参数是与在所述晶片平台上的晶片上的各层之间的套刻误差相关的参数，所述第二套刻参数是与在所述晶片上的所述各层之间的所述套刻误差相关的另一参数， 其中所述第一套刻参数与在垂直于EUV曝光工艺中的扫描方向的第一方向上发生在轴的两侧并在所述扫描方向上具有随着在所述第一方向上距所述轴的距离的增大而与在所述第一方向上的位置的立方成比例地增大的大小的误差有关，以及 其中所述第二套刻参数与在所述扫描方向上具有随着在所述第一方向上距所述轴的距离的增大而与在所述第一方向上的位置的平方成比例地增大的大小的误差有关。
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