索尼半导体解决方案公司黑部利博获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113544826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080019820.9，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权成像装置是由黑部利博设计研发完成，并于2020-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像装置在说明书摘要公布了：提供了一种使得布局的自由度提高的成像装置。该成像装置包括：第一半导体基板，其包括用于执行光电转换的传感器像素；和第二半导体基板，其包括用于输出基于从传感器像素输出的电荷的像素信号的读出电路。第二半导体基板层叠在第一半导体基板的一个表面侧上以构成层叠体。第二半导体基板包括面对第一半导体基板的第一表面和位于第一表面的相反侧的第二表面。读出电路中所包括的第一晶体管设置在第一表面中，并且读出电路中所包括的第二晶体管设置在第二表面中。
本发明授权成像装置在权利要求书中公布了：1.一种成像装置，其包括： 第一半导体基板，其包括构造为执行光电转换的传感器像素；和 第二半导体基板，其包括读出电路，所述读出电路构造为输出基于从所述传感器像素输出的电荷的像素信号，其中， 所述第二半导体基板层叠在所述第一半导体基板的一个表面侧上以构成层叠体， 所述第二半导体基板包括面对所述第一半导体基板的第一表面和位于所述第一表面的相反侧的第二表面， 所述读出电路中所包括的第一晶体管设置在所述第一表面中，其中，所述第一晶体管的栅极电极设置在所述第一表面上，并且 所述读出电路中所包括的第二晶体管设置在所述第二表面中，其中，所述第二晶体管的栅极电极设置在所述第二表面上， 其中，在所述层叠体的厚度方向上，所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此重叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼半导体解决方案公司，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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