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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110318330.5，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件是由C·范柯林斯基;D·佩多内;M·皮钦;R·鲁普;戴秋莉;黄佳艺设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种用于加工半导体晶片的方法。一种半导体晶片包括第一主表面和第二主表面。在半导体晶片内部产生缺陷，以限定出平行于第一主表面的脱离平面。加工第一主表面而限定出多个电子半导体部件。提供了一种玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口。所述玻璃结构附接到经加工的第一主表面，所述多个开口中的每个分别使多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。聚合物层被施加到第二主表面，并且通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下，沿着脱离平面将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片。所述半导体切片包括所述多个电子半导体部件。

本发明授权加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于加工半导体晶片的方法，所述方法包括： 提供包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面的半导体晶片； 在半导体晶片内部产生缺陷，所述缺陷限定出平行于所述第一主表面的脱离平面； 加工所述第一主表面，以限定出多个电子半导体部件； 施加聚合物层； 通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下，将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片，所述半导体切片在第一主表面与脱离平面之间延伸并且包括所述多个电子半导体部件，其特征在于，所述方法还包括： 提供玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口； 在分裂半导体晶片之前，将玻璃结构附接到经加工的第一主表面，所述多个开口中的每个分别使所述多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖； 其中，聚合物层被施加到第二主表面； 其中，所述多个电子半导体部件通过切口线分离，所述切口线被所述玻璃结构覆盖； 将带有附接的玻璃结构的所述半导体切片沿着所述切口线划分割成半导体芯片；和 将夹电连接到焊盘，所述焊盘布置在所述第一主表面上未被所述玻璃结构覆盖的相应区域中，所述夹包括： 长度大于连接到焊盘的玻璃结构的厚度的第一部分；和 被构造成延伸到端子的第二部分。

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