迈来芯电子科技有限公司N·迪普雷获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利基于磁场梯度的位置传感器设备、方法和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113432517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110292522.3,技术领域涉及:G01B7/00;该发明授权基于磁场梯度的位置传感器设备、方法和系统是由N·迪普雷;Y·比多设计研发完成,并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于磁场梯度的位置传感器设备、方法和系统在说明书摘要公布了:一种确定磁传感器设备相对于磁源或者确定磁源相对于磁传感器设备的线性位置或角位置的方法,该传感器设备包括至少四个磁传感器元件,该方法包括以下步骤:a确定第一磁场梯度;b确定第二磁场梯度;c确定第一磁场梯度与第二磁场梯度的比率;d将该比率转换为位置;同时匹配磁传感器元件的信号路径,以便改善信噪比SNR。
本发明授权基于磁场梯度的位置传感器设备、方法和系统在权利要求书中公布了:1.一种确定磁传感器设备相对于磁源或确定磁源相对于磁传感器设备的线性位置或角位置的方法;所述磁传感器设备包括: 第一磁传感器元件、第二磁传感器元件、第三磁传感器元件和第四磁传感器元件; 第一偏置源、第二偏置源、第三偏置源和第四偏置源,用于对所述传感器元件进行偏置; 第一放大器、第二放大器、第三放大器和第四放大器,用于对源自所述传感器元件的信号进行放大; 至少一个模数转换器,用于将源自所述放大器的信号进行数字化; 温度传感器和差分应力测量电路中的一者或两者; 数字处理电路,所述数字处理电路连接在所述模数转换器的下游; 所述方法包括以下步骤: 获得温度值和差分应力值中的一者或两者; a基于从所述第一磁传感器元件和所述第三磁传感器元件获得的信号来确定第一磁场梯度; b基于从所述第二磁传感器元件和所述第四磁传感器元件获得的信号来确定第二磁场梯度; c计算所述第一磁场梯度与所述第二磁场梯度的比率; d基于所述比率来确定所述线性位置或角位置; 其特征在于: 步骤a包括:使用温度和或差分应力的第一预定义函数来调整所述第三偏置源和或调整包括所述第三放大器的信号路径,以使包含所述第三磁传感器元件的信号路径与包含所述第一磁传感器元件的信号路径相匹配;以及 步骤b包括:使用温度和或差分应力的、与所述第一预定义函数不同的第二预定义函数来调整所述第四偏置源和或调整包括所述第四放大器的信号路径,以使包含所述第四磁传感器元件的信号路径与包含所述第二磁传感器元件的信号路径相匹配; 步骤d进一步包括:基于所述比率来确定所述线性位置或角位置,任选地考虑预定义因子K或温度的预定义函数K。
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