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龙图腾网获悉新科金朋私人有限公司申请的专利形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110537223.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法是由梁悳景;李勋择;金成洙;李喜秀设计研发完成，并于2018-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法，以及具有所述嵌入式管芯衬底的系统级封装模块。一种半导体器件具有第一衬底。第一半导体组件被设置在所述第一衬底的第一表面上。第二衬底包括在所述第二衬底的第一表面上的垂直互连结构。第二半导体组件被设置在所述第二衬底的第一表面上。所述第一半导体组件或第二半导体组件是半导体封装。所述第一衬底被设置在所述第二衬底之上，其中所述第一半导体组件和第二半导体组件在所述第一衬底和第二衬底之间。第一密封剂被沉积在所述第一衬底和第二衬底之间。SiP子模块被设置在所述第一衬底或第二衬底之上，与密封剂相对。在SiP子模块之上形成屏蔽层。

本发明授权形成嵌入式管芯衬底的半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一衬底； 设置在所述第一衬底的第一表面上的第一半导体组件； 设置在第一半导体组件和第一衬底之间的第一焊料凸块，以将第一半导体组件机械地接合并且电气地连接到第一衬底； 沉积在第一半导体组件之上并且延伸到第一衬底的第一密封剂； 形成在第一密封剂之上并且延伸到第一衬底的导电层的第一屏蔽层； 第一分立器件，以第一焊膏设置在第一分立器件和第一衬底之间来设置在第一衬底的第一表面上，其中所述第一分立器件在第一密封剂外部； 第二衬底，其设置在所述第一衬底之上； 设置在所述第二衬底的第一表面上的第二半导体组件，其中所述第一半导体组件和第二半导体组件被设置在所述第一衬底和第二衬底之间，并且其中在所述第二半导体组件之上的所述第一衬底的第一表面的区域没有安装在所述第一衬底上的半导体组件，并且在所述第一半导体组件之上的所述第二衬底的第一表面的区域没有安装在所述第二衬底上的半导体组件； 设置在第二衬底和第二半导体组件之间的第二焊料凸块，以将第二半导体组件机械地接合并且电气地连接到第二衬底； 设置在第二衬底的第一表面上的第二分立器件，其中第二焊膏设置在第二分立器件和第二衬底之间； 沉积在第二半导体组件和第二分立器件之上并且延伸到第二衬底的第二密封剂，其中所述第二分立器件被第二密封剂密封； 形成在第二密封剂之上并且延伸到第二衬底的导电层的第二屏蔽层； 从所述第一衬底延伸到所述第二衬底的第一垂直互连结构，其中第一垂直互连结构包括铜芯焊料球CCSB； 沉积在所述第一衬底和第二衬底之间的第三密封剂，其中第三密封剂在第一屏蔽层和第二衬底之间延伸，在第二屏蔽层和第一衬底之间延伸，并且在第一分立器件和第一屏蔽层之间延伸，并且其中第三密封剂物理地接触第一衬底、第二衬底、第一屏蔽层、第二屏蔽层和第一分立器件； 第三半导体组件，安装到第一衬底的与第一表面相对的第二表面； 设置在第三半导体组件和第一衬底之间的第三焊料凸块； 设置在第一衬底的第二表面上的第三分立器件，其中第三焊膏设置在第三分立器件和第一衬底之间； 直接沉积在所述第一衬底的第二表面上的第四密封剂； 延伸通过所述第四密封剂的第二垂直互连结构； 在所述第二垂直互连结构周围形成到所述第四密封剂中的凹槽； 设置在所述第二垂直互连结构之上并且到所述凹槽中的第四焊料凸块； 安装到第二衬底的与第一表面相对的第二表面的分立电容器，其中以第四焊膏设置在分立电容器和第二衬底之间来安装所述分立电容器； 安装到第二衬底的第二表面的分立电阻器，其中第五焊膏设置在分立电阻器和第二衬底之间； 分立电感器，以第六焊膏设置在分立电感器和第二衬底之间来安装到第二衬底的第二表面，其中分立电容器、分立电阻器和分立电感器实现带通滤波器，并且其中仅无源组件被安装到第二衬底的第二表面上； 沉积在第二衬底的第二表面、分立电感器、分立电容器和分立电阻器之上的第五密封剂；以及 形成在第五密封剂之上的第三屏蔽层，其中所述第三屏蔽层沿着第五密封剂、第二衬底、第三密封剂、第一衬底和第四密封剂的侧表面向下延伸； 其中第一半导体组件、第一分立器件、第二半导体组件、第二分立器件、第三半导体组件、第三分立器件、分立电阻器、分立电容器和分立电感器彼此电连接，并且通过第一衬底、第二衬底、第一垂直互连结构和第二垂直互连结构电连接到第四焊料凸块。

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