英飞凌科技奥地利有限公司E·菲尔古特获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利包括嵌入式半导体管芯的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110184796.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权包括嵌入式半导体管芯的半导体器件及其制造方法是由E·菲尔古特;A·阿尔特豪斯;M·格鲁贝尔;M·N·米勒;B·施默尔泽;W·肖尔茨;M·托马斯设计研发完成，并于2021-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括嵌入式半导体管芯的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体器件10包括管芯载体11；半导体管芯12，该半导体管芯12设置在管芯载体11的主面上，该半导体管芯12包括在其主面上的一个或多个接触焊盘12A；包封剂13，该包封剂13至少部分地覆盖半导体管芯12和管芯载体11的主面的至少一部分；以及绝缘层14，该绝缘层14覆盖包封剂13；以及一个或多个电互连15，一个或多个电互连15中每一个与半导体管芯12的接触焊盘12A中的一个连接并且延伸穿过包封剂13。
本发明授权包括嵌入式半导体管芯的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： -管芯载体，所述管芯载体包括第一上主面、与所述第一上主面相对的第二下主面、以及在所述第一上主面与所述第二下主面之间的侧面； -半导体管芯，所述半导体管芯设置在所述管芯载体上，所述半导体管芯包括在其上主面上的一个或多个接触焊盘； -包封剂，所述包封剂至少部分地覆盖所述半导体管芯和所述管芯载体的所述第一上主面的至少一部分， -绝缘层，所述绝缘层覆盖所述包封剂，其中，所述绝缘层覆盖所述管芯载体的所述第二下主面和所述侧面，并且其中，所述绝缘层由导热材料制成，以允许到底部的散热，并且其中，覆盖所述管芯载体的所述第二下主面的绝缘层的热导率高于覆盖所述包封剂的绝缘层的热导率，并且其中，所述包封剂仅位于所述半导体管芯的所述上主面的边缘区域中和所述半导体管芯的侧面上，而不在所述半导体管芯的所述上主面的中心区域中，并且所述半导体管芯的所述上主面的中心区域由所述绝缘层填充；以及 -一个或多个电互连，所述一个或多个电互连中的每一个与所述半导体管芯的所述接触焊盘中的一个连接并且延伸穿过所述包封剂。
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