株式会社半导体能源研究所大贯达也获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112868182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980068309.5，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权半导体装置是由大贯达也;八窪裕人;加藤清;斋藤圣矢设计研发完成，并于2019-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括传感器、被输入传感器的传感器信号的放大器电路、被输入放大器的输出信号并保持对应于该输出信号的电压的采样保持电路、被输入对应于电压的采样保持电路的输出信号的模拟数字转换电路、以及接口电路。接口电路具有切换将传感器信号输入到放大器电路且将放大器电路的输出信号保持在采样保持电路中的第一控制期间和向接口电路输出将保持在采样保持电路中的电压输出到模拟数字转换电路而得到的数字信号的第二控制期间而进行控制的功能。模拟数字转换电路在第一控制期间被切换以停止数字信号的输出。第一控制期间长于第二控制期间。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 传感器，被配置为输出传感器信号； 被配置为放大所述传感器信号的放大器电路； 采样保持电路，包括多个信号保持电路以及加法电路；以及 模拟数字转换电路，电连接到所述加法电路， 其中，所述多个信号保持电路中的每一个被配置为保持所述放大器电路的输出信号， 所述多个信号保持电路中的每一个包括电容器和第一晶体管，所述第一晶体管包括沟道形成区域中的氧化物半导体， 所述加法电路被配置为将所述放大器电路的由所述多个信号保持电路保持的所述输出信号相加， 所述采样保持电路包括第二晶体管和第三晶体管， 所述第二晶体管的栅极电连接到所述加法电路， 并且所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述模拟数字转换电路。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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