三星电子株式会社李章雨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装及制造半导体封装的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911163580.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装及制造半导体封装的方法是由李章雨;吴琼硕;孔永哲;朴佑炫;沈钟辅;车载明设计研发完成，并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装及制造半导体封装的方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
本发明授权半导体封装及制造半导体封装的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 封装基板； 第一半导体芯片，其中，所述第一半导体芯片的有源表面面向所述封装基板，并且所述第一半导体芯片通过芯片连接构件电连接到所述封装基板； 第二半导体芯片，贴附到所述第一半导体芯片的上表面，所述第二半导体芯片包括被布置为在横向方向上彼此间隔开的第一存储器芯片和第二存储器芯片，其中，所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片中的每一个包括形成在其上表面上的至少一个接合焊盘，并且所述至少一个接合焊盘通过至少一个接合线电连接到所述封装基板； 第一硅散热体，热连接到所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片，而不覆盖所述至少一个接合焊盘； 第二硅散热体，热连接到所述第一半导体芯片；以及 模制构件，被配置为围绕所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片， 其中，所述第一硅散热体具有相对于所述模制构件的暴露的上表面，并且 其中，所述第一硅散热体和所述第二硅散热体不通过导电互连与所述半导体封装中所包括的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的任何一个连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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