浙江芯盟半导体技术有限责任公司陈正令获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯盟半导体技术有限责任公司申请的专利一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223666244U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423315206.1，技术领域涉及：H02M1/08；该实用新型一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路是由陈正令设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路，涉及功率电子技术领域，该基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路包括由上层电路和下层电路组成的两级IGBT驱动电路；所述上层电路和下层电路中均包含有驱动芯片、分压电阻、过流电阻、滤波电容、IGBT；所述分压电阻连接在驱动芯片IGBT的栅极之间，所述分压电阻两端还并联有限流环路，所述IGBT的栅极连接双向稳压管，过流电阻和滤波电容相并联并接入在双向稳压管和IGBT的发射极之间。通过在电路中增加快速关断的限流环路通道和稳压管，能够有效抑制米勒效应引起的误导通现象，保证IGBT的正常关断，改善了IGBT的开关性能，并提高了电路的可靠性和稳定性。
本实用新型一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种基于米勒电容抑制的IGBT快速关断稳压驱动电路，其特征在于，包括由上层电路和下层电路组成的两级IGBT驱动电路；所述上层电路和下层电路中均包含有驱动芯片、分压电阻、过流电阻、滤波电容和IGBT；所述分压电阻连接在驱动芯片IGBT的栅极之间，所述分压电阻两端还并联有限流环路，所述IGBT的栅极连接双向稳压管，过流电阻和滤波电容相并联并接入在双向稳压管和IGBT的发射极之间；所述两级IGBT驱动电路中的两个IGBT采用桥臂连接方式，上层电路IGBT的发射极和下层电路IGBT的集电极直接连接，形成桥臂的中点；上层电路IGBT的集电极连接到正直流电源；下层电路IGBT的发射极连接到负直流电源。
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