深圳市英威腾光伏科技有限公司蓝少辉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市英威腾光伏科技有限公司申请的专利光伏并网逆变电路及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223666051U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422749560.9，技术领域涉及：H02J3/38；该实用新型光伏并网逆变电路及电子设备是由蓝少辉;李军;袁曦设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏并网逆变电路及电子设备在说明书摘要公布了：一种光伏并网逆变电路及电子设备，属于逆变器技术领域，MPPT升压电路接入光伏直流电，MPPT升压电路包括升压电感、升压SiCMOSFET和SiC肖特基二极管；H4桥逆变电路包括逆变电感和逆变SiCMOSFET；第一碳化硅驱动电路用于根据升压电感的电感量，以确认升压SiCMOSFET的驱动频率；第二碳化硅驱动电路用于根据逆变电感的电感量，以确认逆变SiCMOSFET的驱动频率；碳化硅功率器件的使用配合相应的PWM调制方式，简化了光伏并网逆变电路的硬件设计，减小体积和开关损耗，提高效率且抑制了EMI干扰。
本实用新型光伏并网逆变电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光伏并网逆变电路，其特征在于，包括： MPPT升压电路，用于接入光伏直流电，所述MPPT升压电路包括升压电感、升压SiCMOSFET和SiC肖特基二极管； H4桥逆变电路，与所述MPPT升压电路和电网连接，所述H4桥逆变电路包括逆变电感和逆变SiCMOSFET； 第一碳化硅驱动电路，一端与所述升压电感连接，另一端与所述升压SiCMOSFET连接，用于根据所述升压电感的电感量，以确认所述升压SiCMOSFET的驱动频率；第二碳化硅驱动电路，一端与所述逆变电感连接，另一端与所述逆变SiCMOSFET连接，用于根据所述逆变电感的电感量，以确认所述逆变SiCMOSFET的驱动频率。
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