天津中科晶禾电子科技有限责任公司陈柏柏获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利一种真空腔室结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223665412U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422919114.8,技术领域涉及:H01L21/67;该实用新型一种真空腔室结构是由陈柏柏;高智伟;母凤文;谭向虎;刘福超设计研发完成,并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空腔室结构在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体材料加工技术领域,尤其涉及一种真空腔室结构,包括:腔体,所述腔体的至少一个侧壁上设有传输口,所述传输口用于传输样品;加热板,配置于所述腔体中,用于加热样品;顶升机构,密封连通于所述腔体的底壁,所述加热板设于所述顶升机构的顶端,所述顶升机构用于改变所述加热板在所述腔体内的纵向位置;输送机构,配置于所述腔体中,用于将所述样品由传输口输送至所述加热板上方;驱动端,密封穿设于所述腔体的壁面,用于驱动所述输送机构;门阀,设于所述传输口,用于选择性的密封所述传输口。本申请所提供的真空腔室结构能够在真空环境中对晶圆进行加热,在加热期间表面不会出现氧化反应。
本实用新型一种真空腔室结构在权利要求书中公布了:1.一种真空腔室结构,其特征在于,包括:腔体,所述腔体的至少一个侧壁上设有传输口,所述传输口用于传输样品; 加热板,配置于所述腔体中,用于加热样品; 顶升机构,密封连通于所述腔体的底壁,所述加热板设于所述顶升机构的顶端,所述顶升机构用于改变所述加热板在所述腔体内的纵向位置; 输送机构,配置于所述腔体中,用于将所述样品由传输口输送至所述加热板上方; 驱动端,密封穿设于所述腔体的壁面,用于驱动所述输送机构; 门阀,设于所述传输口,用于选择性的密封所述传输口。
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