玻芯成(重庆)半导体科技有限公司蒲贤勇获国家专利权
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龙图腾网获悉玻芯成(重庆)半导体科技有限公司申请的专利电阻芯片及电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223665253U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422942815.3，技术领域涉及：H01C7/00；该实用新型电阻芯片及电子装置是由蒲贤勇;王天星设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻芯片及电子装置在说明书摘要公布了：本申请适用于电子技术领域，提供了一种电阻芯片及电子装置。本申请提供的电阻芯片，包括：玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面以及沿所述玻璃基板的厚度方向贯穿的至少两个通孔；至少两个导电连接结构，所述导电连接结构填充于所述通孔内且延伸至所述第一表面，延伸至所述第一表面上的所述导电连接结构之间形成间隔区域；电阻层，形成于所述间隔区域所在的第一表面并连接所述至少两个导电连接结构，所述电阻层在所述第一表面的投影覆盖所述导电连接结构在所述第一表面的投影。本申请提供的电阻芯片及电子装置，可以降低热损耗，电阻层覆盖导电连接结构，使得电阻芯片在制作过程中具有更高的工艺宽容度，减少生产成本，提高生产效率。
本实用新型电阻芯片及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种电阻芯片，其特征在于，包括： 玻璃基板，包括第一表面以及沿所述玻璃基板的厚度方向贯穿的至少两个通孔； 至少两个导电连接结构，所述导电连接结构填充于所述通孔内且延伸至所述第一表面，延伸至所述第一表面上的所述导电连接结构之间形成间隔区域； 电阻层，形成于所述间隔区域所在的第一表面并连接所述至少两个导电连接结构，所述电阻层在所述第一表面的投影覆盖所述导电连接结构在所述第一表面的投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人玻芯成(重庆)半导体科技有限公司，其通讯地址为：408000 重庆市涪陵区太白大道32号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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