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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的电容估计方法及优化设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120971821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511486664.8，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种半导体器件的电容估计方法及优化设计方法是由张良宵;张立涛;王阳阳设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的电容估计方法及优化设计方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的电容估计方法及优化设计方法，半导体器件的电容估计方法包括：提供多个第一测试结构，第一测试结构包括第一栅极、导电接触以及第一布线层，不同的第一测试结构中，相邻导电接触之间具有不同的间距；获取多个第一测试结构的第一电容；提供至少一个第二测试结构，第二测试结构包括第二栅极以及第二布线层；获取第二测试结构的第二电容；将多个第一电容分别与第二电容相减，得到多个目标寄生电容；获得目标寄生电容与相邻导电接触的间距的拟合曲线；以及根据拟合曲线计算出半导体器件的寄生电容；其中，拟合曲线包括目标寄生电容随相邻导电接触的间距增加的上升阶段以及接近饱和值的饱和阶段。

本发明授权一种半导体器件的电容估计方法及优化设计方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电容估计方法，包括： 提供多个第一测试结构，所述第一测试结构包括第一栅极、导电接触以及第一布线层，不同的第一测试结构中，相邻导电接触之间具有不同的间距； 获取多个所述第一测试结构的第一电容； 提供至少一个第二测试结构，所述第二测试结构包括第二栅极以及第二布线层； 获取所述第二测试结构的第二电容； 将多个第一电容分别与第二电容相减，得到多个目标寄生电容； 获得目标寄生电容与相邻导电接触的间距的拟合曲线；以及 根据所述拟合曲线计算出半导体器件的寄生电容； 其中，所述目标寄生电容为所述第一栅极与导电接触之间的电容，所述拟合曲线包括目标寄生电容随相邻导电接触的间距增加的上升阶段以及接近饱和值的饱和阶段； 所述拟合曲线为： Cco=Co*1+fac*-1.0+tanhSpace-ddsslope 其中，Cco为目标寄生电容，Co、fac、dds、slope为拟合参数，Space为相邻导电接触的间距。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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