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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种降低红光Micro LED功耗的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454446.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种降低红光Micro LED功耗的方法是由王月;黄磊;余鹿鸣;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低红光Micro LED功耗的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种降低红光MicroLED功耗的方法，包括：S1，片源准备；S2，预处理清洗；S3，光刻成型；S4，残胶去除；S5，氧化层清除；S6，复合金属沉积；S7，去胶脱附；S8，外观筛选；S9，退火处理；还可增设S10，性能验证；核心是采用物理气相沉积技术，在金属沉积窗口内沉积含Au、Ge、Ni的复合金属膜层，且Ni层位于Au层与Ge层之间，结合保护气氛下的快速退火，抑制Ge团聚，降低N电极与n型GaAs层的接触电阻；本发明兼顾低接触电阻与N侧透光率，兼容Si、蓝宝石等衬底，工艺适配性强，功耗降低，提升器件可靠性与批次良率，适用于MiniMicroLED显示等领域。

本发明授权一种降低红光Micro LED功耗的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低红光MicroLED功耗的方法，其特征在于，应用于包含n型GaAs层的AlGaInP基红光MicroLED垂直结构，所述垂直结构至少包括n型GaAs层、与所述n型GaAs层接触的N电极、以及位于n型GaAs层下方的半导体功能层与衬底，所述方法包括以下步骤： S1，片源准备，选取键合完成的AlGaInP基红光MicroLED晶圆，所述晶圆的顶部为用于形成N电极欧姆接触的n型GaAs层； S2，预处理清洗，对所述晶圆表面进行污染物去除处理，依次包括：采用有机溶剂进行超声清洗、采用极性溶剂进行浸泡清洗、采用去离子水冲洗，最后进行干燥； S3，光刻成型，在干燥后的晶圆表面涂覆正性光刻胶并进行匀胶处理，形成预设厚度的光刻胶膜；通过含电极图形的光刻板对光刻胶膜进行曝光，再采用正胶显影液显影，形成N电极的金属沉积窗口； S4，残胶去除，采用物理轰击或化学处理方式，清除所述金属沉积窗口内残留的光刻胶底膜，确保后续金属膜与n型GaAs层直接接触； S5，氧化层清除，采用酸性溶液浸泡所述晶圆，去除n型GaAs层表面因预处理形成的氧化层； S6，复合金属沉积，采用物理气相沉积技术，在所述金属沉积窗口内沉积含Au、Ge、Ni的复合金属膜层，所述复合金属膜层中Ni层位于Au层与Ge层之间，用于抑制Ge在后续退火过程中的团聚； S7，去胶脱附，将沉积金属后的晶圆置于去胶液中，剥离未曝光区域的光刻胶及多余金属； S8，外观筛选，通过光学显微镜观察晶圆表面，筛选无残胶、无残金的合格晶圆； S9，退火处理，将合格晶圆置于退火设备中，在保护气氛下进行快速退火，使所述复合金属膜层与n型GaAs层形成低接触电阻的欧姆接触。

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