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龙图腾网获悉捷仪生物科技(苏州)有限公司申请的专利覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120948582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511469651.X，技术领域涉及：G01N27/416；该发明授权覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法是由刘婷婷;陆宜;黎敏清设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法，所述覆膜式多通道电化学芯片的芯片本体表面覆盖有第一膜组和第二膜组；所述第一膜组设有第一孔位，所述第二膜组包括中心部分和在径向上超出所述中心部分的外围部分，所述中心部分用于嵌入所述第一孔位并设有第二孔位，所述第一孔位的面积大于第二孔位的面积；所述第二膜组的中心部分与外围部分的高度差值大于等于所述第一膜组的高度，且所述第二膜组与所述芯片本体的表面的附着层的粘度低于其自身其余附着层的粘度，以能够在剥离所述第二膜组之前形成第二井型立体结构并在剥离所述第二膜组之后形成第一井型立体结构。该芯片通过剥离第二膜组这种简单的操作，即可实现反应池由小变大的目的。

本发明授权覆膜式多通道电化学芯片及其膜组加工方法在权利要求书中公布了：1.覆膜式多通道电化学芯片，包括设有电极的芯片本体，其特征在于，所述芯片本体的表面覆盖有第一膜组和第二膜组；所述第一膜组设有第一孔位，所述第二膜组包括中心部分和在径向上超出所述中心部分的外围部分，所述中心部分用于嵌入所述第一孔位并设有第二孔位，所述第一孔位的面积大于所述第二孔位的面积；所述第二膜组的中心部分与外围部分的高度差值大于等于所述第一膜组的高度，且所述第二膜组与所述芯片本体的表面的附着层的粘度低于其自身其余附着层的粘度，以能够在剥离所述第二膜组之前形成第二井型立体结构并在剥离所述第二膜组之后形成第一井型立体结构；所述第一膜组设有至少一层第一隔离层，各所述第一隔离层的下方设有第一附着层；所述第二膜组设有至少两层第二隔离层，各所述第二隔离层的下方设有第二附着层，以位于最顶层的所述第二隔离层为向下的起始层，所述第二膜组有至少一层在径向上超出其中心部分，以形成所述第二膜组的外围部分。

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