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龙图腾网获悉哈尔滨工程大学;青岛哈尔滨工程大学创新发展中心;哈尔滨工程大学三亚南海创新发展基地申请的专利基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511498128.X，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用是由王祎;马明轩;吴玉泽;丁天宇;钱吉祥;蒋世锦设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明适用于金属点阵列技术领域，提供了基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用，包括以下步骤：铝片的预处理；纳米压印并进行阳极氧化；嵌套阳极氧化铝结构磷酸溶液刻蚀；嵌套阳极氧化铝模板制备；贵金属点阵列的制备。本发明为克服目前贵金属点阵列制备过程中工艺复杂、制备结构单一、制备周期长以及结构可供选择的光学模式单一等问题，采用欠电压阳极氧化和化学腐蚀相结合的方式制备出具有特殊的薄壁锥形的多光学模式的贵金属阵列，制备方式更为便利，制备时间更短，且制备面积更大，制备得到的样品及其衍生结构可以作为微型激光器的谐振腔使用，在微纳光学等领域有较为广泛的应用前景。

本发明授权基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 铝片的预处理：对高纯铝箔裁剪后进行清洗，再进行化学抛光，清洗，得到抛光铝片备用； 纳米压印并进行阳极氧化：将镍膜的凸起侧覆盖于抛光铝片的光滑面，施压，形成纳米凹陷，将压印好的铝片置于电解液环境中，施加嵌套结构所对应的氧化电压140V、电流0.5A，氧化时间10min，得到初始形态的阳极氧化铝； 嵌套阳极氧化铝结构磷酸溶液刻蚀：将初始形态的阳极氧化铝置于质量分数为5%的30℃恒温磷酸溶液中进行化学刻蚀，时间为30min，清洗待用，得到嵌套阳极氧化铝结构，嵌套结构从上面观察形貌，孔隙分为主孔和副孔，底部分为四部分，中间有一凸起，副孔由对称分布的四个浅层小孔组成； 嵌套阳极氧化铝模板制备：在嵌套阳极氧化铝结构上滴加稀PMMA溶液，进行旋涂操作，再滴加相同量的浓PMMA溶液，进行旋涂操作，再去除铝基底，得到有PMMA支撑的嵌套氧化铝模板，再将PMMA一侧朝上放入丙酮溶液中，待PMMA完全溶解后，得到嵌套阳极氧化铝模板，所述稀PMMA溶液和浓PMMA溶液的溶剂为二氯甲烷，稀PMMA溶液的浓度为0.033-0.035gmL，浓PMMA溶液的浓度为0.048-0.05gmL； 贵金属点阵列的制备：将嵌套阳极氧化铝模板放入物理气相沉积系统中，沉积金属银后取出，而后去除表层的银膜，清洗，得到基于嵌套结构的薄壁锥形银纳米阵列，基于嵌套结构的形貌，进入主孔内的银金属，悉数附着在中央的凸起顶部，随沉积的进行逐渐形成薄壁锥形形貌的银颗粒。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工程大学;青岛哈尔滨工程大学创新发展中心;哈尔滨工程大学三亚南海创新发展基地，其通讯地址为：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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