微玖(苏州)光电科技有限公司于佳琪获国家专利权
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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511450762.6，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法是由于佳琪;钟冠伦;黄振;蒯亮设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法，该芯片结构从下至上依次包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP量子阱结构、p型间隔层、p型AlGaInP极化诱导掺杂层、插入层及n型欧姆接触层；其中，p型AlGaInP极化诱导掺杂层通过Al组分渐变设计引入压电极化电场，诱导形成高密度二维空穴气，高Al组分插入层与n型欧姆接触层构成隧穿结；本发明从根本上解决了高Al组分AlGaInP材料p型掺杂效率低、电阻率高的问题，简化了外延结构与芯片工艺，使芯片串联电阻降低、发光效率提升、良率提升，具有显著的技术与商业价值。
本发明授权一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有极化诱导隧穿结的AlGaInP红光LED芯片结构，其特征在于，从下至上依次包括：GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型限制层、非掺杂InGaP量子阱结构、p型间隔层、p型AlGaInP极化诱导掺杂层、插入层及n型欧姆接触层； 所述p型AlGaInP极化诱导掺杂层的组分从渐变至，其中Al组分=0.6-0.7、=0.9-1，组分比=0.5、=0.7； 所述插入层的Al组分=0.8-1，且与n型欧姆接触层构成隧穿结； 所述n型欧姆接触层的Al组分=0.8-1、组分比=0.5。
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