江苏林洋太阳能有限公司王熠恒获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏林洋太阳能有限公司申请的专利具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511460485.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法是由王熠恒;沈东东;蒋建婷;包杰;刘根青;马丽敏;季根华;杜哲仁设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法，它包括：在N型单晶硅片的表面形成硼掺杂发射极；在硅片背表面的部分区域进行消融处理，形成凹陷结构；对硅片背表面进行抛光刻蚀以形成多个图形化结构；硅片背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；去除硅片背表面非金属接触区域的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；本发明的方法可节约硅片成本，所制出的超薄太阳能电池具有良好的柔韧性，提升了电池的电流值，有利于电池中载流子更高效的传输。
本发明授权具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有选择性多晶硅钝化接触的超薄太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括： 在N型单晶硅片的表面形成硼掺杂发射极； 在硅片背表面的部分区域进行消融处理，形成凹陷结构33； 对硅片背表面进行抛光刻蚀以形成多个图形化结构3； 在硅片背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层； 去除硅片背表面非金属接触区域的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层； 其中，所述N型单晶硅片为超薄晶体硅；所述图形化结构3包括共振腔结构和凹陷结构33，所述共振腔结构为在硅片背表面凸出的凸起结构，所述凹陷结构33位于相邻两个共振腔结构之间；所述共振腔结构包括第一共振腔31和第二共振腔32，所述第一共振腔31位于硅片背表面的金属接触区域，所述第二共振腔32和凹陷结构33位于硅片背表面的非金属接触区域； 所述第一共振腔31和第二共振腔32的深度D分别独立地为0.5µm～10µm，所述第一共振腔31和第二共振腔32的凸起顶部的宽度W分别独立地为20µm～200µm，所述凹陷结构33的宽度S为50µm～1000µm。
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