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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种高度耦合调制单模激光器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511455048.6，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种高度耦合调制单模激光器的制备方法是由向磊;魏明设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高度耦合调制单模激光器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及激光器的技术领域，尤其是涉及一种高度耦合调制单模激光器的制备方法，包括耦合模块和两个发光模块，且两个发光模块的发光面位于同一侧，耦合模块位于发光模块的发光面一侧，耦合模块内设有两条相平行的光道，两条光道的端部分别与两个发光模块的发光面正对，耦合模块远离发光模块的一侧设有出光口，两条光道远离发光模块的一端汇合且与出光口相连通，两条光道之间设有锁波环。两个发光模块发出的激光分别进入两个光道内，经过锁波环时进行耦合，最终从出光口排出。本申请将两个发光模块和锁波环集成在一个芯片上，可以在后续封装上简化设计成本和压缩模块体积，没有冗余的空间光路，大幅度提高模块的可靠性使用寿命。

本发明授权一种高度耦合调制单模激光器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高度耦合调制单模激光器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤， S1、在衬底1上生长外延层，外延层包括从下至上依次设置的N面包层2、N面波导层3、有源区4和P面波导层5； S2、通过一侧光刻和干法刻蚀，将外延层的一侧刻蚀至N面包层2处，形成耦合凹槽，外延层另一侧为发光模块9； S3、在外延层上整面生长一层SiN，耦合凹槽内的SiN形成无源波导层18，无源波导层18的高度不低于发光模块9内P面波导层5的高度； S4、刻蚀去除发光模块9上方的SiN，并依次生长出P面包层7和P面盖层6； S6、通过光刻和电子束曝光，在无源波导层18的上表面刻蚀出光道13和锁波环15图案，形成耦合模块10； 其中，高度耦合调制单模激光器包括耦合模块10和两个发光模块9，两个发光模块9并排设置，且两个发光模块9的发光面位于同一侧，所述耦合模块10位于发光模块9的发光面一侧，所述耦合模块10内设有两条相平行的光道13，两条光道13的端部分别与两个发光模块9的发光面正对，耦合模块10远离发光模块9的一侧设有出光口16，两条光道13远离发光模块9的一端汇合且与出光口16相连通，两条光道13之间设有锁波环15。

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