沈阳仪表科学研究院有限公司李昌振获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳仪表科学研究院有限公司申请的专利硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511331451.8，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法是由李昌振;李永清;何方;张治国;刘宏伟;祝永峰;任向阳;贾文博;李颖;王卉如;李迎辉;陈文彬;刘永祥;马俊莹;吕宏珲设计研发完成，并于2025-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及硅直接键合芯片工艺技术领域，尤其涉及一种硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法，所述方法先设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围；再采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段；在所述主刻蚀阶段和所述终点控制阶段中，通过光学发射光谱监测系统实时监测硅氟化合物特征峰的强度变化；当所述特征峰的强度变化的二阶导数的绝对值大于设定阈值时，触发所述终点控制阶段；在所述终点控制阶段中，引入含氟碳气体的脉冲工艺，并逐步降低刻蚀功率，以实现刻蚀速率的梯度下降，解决硅直接键合芯片刻蚀中厚度偏差大、侧壁角度不足的问题。
本发明授权硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种硅直接键合芯片阻条结构的干法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括： 设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围； 采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段；所述启动阶段使用第一混合气体，所述第一混合气体包括四氟化碳；所述主刻蚀阶段使用第二混合气体，所述第二混合气体包括四氟化碳； 在所述主刻蚀阶段和所述终点控制阶段中，通过光学发射光谱监测系统实时监测硅氟化合物特征峰的强度变化；所述光学发射光谱监测系统监测的特征峰为硅氟化合物在440纳米波长处的发射峰； 当所述特征峰的强度变化的二阶导数的绝对值大于设定阈值时，触发所述终点控制阶段； 在所述终点控制阶段中，引入第三气体的脉冲工艺，所述第三气体为八氟环丁烷；并逐步降低刻蚀功率，以实现刻蚀速率的梯度下降。
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