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龙图腾网获悉上海优睿谱半导体设备有限公司申请的专利一种晶圆缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120908315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453837.6，技术领域涉及：G01N29/06；该发明授权一种晶圆缺陷检测方法是由姜政;孙剑;吴湛;王磊;应骏;余先育;唐德明;张兴华设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，包括如下步骤：以第一检测分辨率扫描晶圆以对晶圆进行第一次缺陷检测，得到整张晶圆的扫描图像，并生成包含缺陷的尺寸信息和位置信息的第一检测报告；对第一检测报告进行过滤得到第一类缺陷的尺寸和位置信息，定义第一类缺陷的第一距离范围内的区域为伴生缺陷区域；将晶圆的边缘区域设置为特别关注区域，并将伴生缺陷区域和特别关注区域设置为二次扫描区域；以第二检测分辨率对二次扫描区域进行扫描，得到二次扫描图像和第二类缺陷的位置信息和尺寸信息；将二次扫描图像和第二类缺陷的位置信息和尺寸信息与整张晶圆的扫描图像和第一检测报告中的缺陷的尺寸信息和位置信息进行叠加，得到最终扫描图像。

本发明授权一种晶圆缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤： 以第一检测分辨率扫描晶圆以对晶圆进行第一次缺陷检测，得到整张晶圆的扫描图像，并生成包含缺陷的尺寸信息和位置信息的第一检测报告； 对第一检测报告进行过滤得到第一类缺陷的尺寸信息和位置信息，定义第一类缺陷的第一距离范围内的区域为伴生缺陷区域，其中伴生缺陷区域内包含第二类缺陷，第二类缺陷的尺寸小于第一类缺陷的尺寸；针对第一次缺陷检测获得的缺陷定义识别规则，基于识别规则对第一检测报告中的缺陷的尺寸信息过滤后得到第一类缺陷的尺寸和位置信息；第一距离为1微米~10000微米； 将晶圆的边缘区域设置为特别关注区域，并将伴生缺陷区域和特别关注区域设置为二次扫描区域； 以第二检测分辨率对二次扫描区域进行扫描，得到二次扫描图像和第二类缺陷的位置信息和尺寸信息，其中第二检测分辨率小于第一检测分辨率； 将二次扫描图像和第二类缺陷的位置信息和尺寸信息与整张晶圆的扫描图像和第一检测报告中的缺陷的尺寸信息和位置信息进行叠加，得到最终扫描图像；以及 进一步分析最终扫描图像和所有缺陷的位置信息和尺寸信息，得到缺陷轮廓、缺陷的尺寸和位置，并生成包含全部缺陷的缺陷报告。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海优睿谱半导体设备有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区盛夏路570号1幢402室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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