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龙图腾网获悉大连大学申请的专利一种铜基电极及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120905718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511447408.8，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权一种铜基电极及其制备和应用是由钟和香;孙云浩;张静雯;潘立卫;张晶设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜基电极及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铜基电极及其制备和应用。该电极制备方法包括：基底的预处理、在不添加额外Cu源的情况下通过恒电压法对铜基底进行电化学刻蚀重构、铜钴过渡金属氧化物、硼化物催化剂生长、高温焙烧，制备得到铜基双效电极。这种结构在碱性介质中均表现出优异的氧析出和氢析出活性及稳定性。本发明所制备的一体化电极无需依赖集流体和额外的粘结剂，简化了制备工艺并降低了成本。该电极可用于电解水析氢电极、电解水析氧电极、电解海水析氢电极、电解海水析氧电极、金属空气电池充电阴阳两极或储能条件下燃料电池反应中的电极。

本发明授权一种铜基电极及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种铜基电极的制备方法，其特征在于： S1：将孔隙率为80-90%的铜基底放入HCl溶液中浸泡处理10~40min，随后清洗干净后，干燥得到T-CF； S2：将处理的铜基底T-CF在KCl或NaCl中的一种或二种的水溶液中，采用恒电压法对基底进行电化学刻蚀，清洗干净、干燥后得到Cu-ET-CF； S3：将铜盐、钴盐、B的前驱体与稳定剂加入水中混合，形成前驱体钴铜混合溶液，随后将前驱体钴铜混合溶液与预处理后得到的Cu-ET-CF放入反应釜后，进行水热反应；反应结束后，清洗干净后，干燥，得到前驱体a； S4：将干燥后的前驱体a在氮气气氛中进行焙烧，即得到铜基电极B-CuxCoyCu-ET-CF； 铜基电极包括基底、铜钴氧化物和钴硼化合物催化剂；铜钴氧化物和钴硼化合物催化剂附着于基底上； 所述铜钴氧化物和钴硼化合物催化剂为纳米颗粒和纳米线组成的纳米结构，铜钴氧化物呈现纳米线的结构，由CuO、Co3O4和CuCo2O4组成，包含刻蚀产生的CuO，纳米线的长度在170nm～350nm，纳米线直径为0.005μm~2μm，铜钴氧化物于基底上的担载量为0.1mgcm2~5.5mgcm2；钴硼化合物呈现纳米颗粒的结构，纳米颗粒直径在0.05μm~2μm，钴硼化合物为CoB，于基底上担载量为0.1mgcm2~1.5mgcm2，B-CuxCoyCu-ET-CF电极中铜钴氧化物和钴硼化合物于基底上总的担载量为1mgcm2~6.5mgcm2。

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