河北鼎瓷电子科技有限公司金华江获国家专利权
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龙图腾网获悉河北鼎瓷电子科技有限公司申请的专利低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120887712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438400.5，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法是由金华江;高珊;陈新桥;王津;郭子宁;赵沐阳设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷基板技术领域，提出了低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法，低翘曲多层陶瓷基板包括以下重量份的原料：氧化铝90~110份、分散剂3~4份、增塑剂4~6份、粘结剂10~12份、烧结助剂3~4份、溶剂70~80份、功能助剂6~9份；功能助剂包括改性SiC颗粒；改性SiC颗粒为SiC颗粒依次经SiO2和Al2O3包覆得到。通过上述技术方案，解决了相关技术中的低翘曲多层陶瓷基板的力学性能不足的问题。
本发明授权低翘曲多层陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.低翘曲多层陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份的原料：氧化铝90~110份、分散剂3~4份、增塑剂4~6份、粘结剂10~12份、烧结助剂3~4份、溶剂70~80份、功能助剂6~9份； 所述功能助剂包括改性SiC颗粒； 所述改性SiC颗粒为SiC颗粒依次经SiO2和Al2O3包覆得到； 所述功能助剂还包括氧化锆晶须； 所述改性SiC颗粒和氧化锆晶须的质量比为1:1~2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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