苏州威达智科技股份有限公司刘曜轩获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州威达智科技股份有限公司申请的专利一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120869987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511367838.9,技术领域涉及:G01N21/01;该发明授权一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法是由刘曜轩;黄海亭;张华;叶阳;刘青函;刘建洋设计研发完成,并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法,该方法包括以下步骤:将标准平晶放置于微孔陶瓷卡盘上方吸附固定;获取标准平晶在不同位置的反射光斑信号强度值;根据不同位置的反射光斑信号强度值调整卡盘水平度;采集不同位置的黑白棋盘格标片图像,获取对应的过渡像素值,分析调整后的卡盘水平度符合设定条件;将硅片或晶圆放置在符合设定条件的卡盘上,获取由高度点所组成的焦点映射图;绘制扫描路径,基于扫描路径制定分段中点辅助对焦策略,对硅片或晶圆表面进行辅助对焦,得到清晰成像。本申请可实现高精度、高速度和低成本的辅助对焦。
本发明授权一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体检测工艺中的硅片或晶圆表面辅助对焦方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤S1:将标准平晶放置于微孔陶瓷卡盘上方,通过卡盘内置的陶瓷微孔气路对平晶进行吸附固定; 步骤S2:开启光学系统装置的激光照明模组,基于XY位移平台多次调整卡盘位置,获取标准平晶在不同位置的反射光斑信号强度值; 步骤S3:设置强度值误差区间,将不同位置的反射光斑信号强度值与强度值误差区间进行比较,得到比较结果,基于比较结果调整卡盘水平度; 步骤S4:取下标准平晶,将黑白棋盘格标片放至卡盘并吸附固定,移动XY位移平台,采集不同位置的黑白棋盘格标片图像,获取对应的过渡像素值,分析调整后的卡盘水平度是否符合设定条件; 步骤S5:将硅片或晶圆放置在符合设定条件的卡盘上,基于Z轴直线移动模组调整3D点光谱至工作距离,移动XY位移平台进行取点扫描,获取由高度点所组成的焦点映射图; 步骤S6:基于焦点映射图绘制扫描路径,基于扫描路径制定分段中点辅助对焦策略,基于分段中点辅助对焦策略对硅片或晶圆表面进行辅助对焦,得到清晰成像; 步骤S6中,所述扫描路径为“之”字形扫描路径;所述分段中点辅助对焦策略具体为:以第一段的起点和终点Z向高度的中间点作为第一段Z轴电机的移动停留位置,第一段的终点作为第二段的起点,以第二段的起点和终点Z向高度的中间点作为第二段Z轴电机的移动停留位置,以此类推,第N-1段的终点位置作为第N段的起点位置,滚动计算第N段起点和终点Z向高度的中间点,作为第N段Z轴电机的移动停留位置,其中N为大于1的正整数。
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