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苏州中瑞宏芯半导体有限公司郝建勇获国家专利权

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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120866806B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511360337.8,技术领域涉及:C23C16/513;该发明授权基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统是由郝建勇;刘玮设计研发完成,并于2025-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统,属于半导体材料制造技术领域,其具体包括:确定含等离子体功率密度等参数的控制参数集,建立多参数耦合响应模型;用拉丁超立方采样生成样本点,量化参数交互效应,结合图模型形成动态权重矩阵;实时监测等离子体发射光谱强度比等数据,与模型预测值对比并修正模型;基于修正模型和动态权重矩阵构建多目标优化问题,用共轭梯度法求解得最优参数配置;依最优配置交替施加高频脉冲与弛豫阶段,按斐波那契序列调制脉冲频率;最后基于基底温度,用S型曲线规划温度上升路径并叠加余弦调制,通入振荡补偿气体补偿反应物浓度偏差,实现材料制备工艺的精准优化。

本发明授权基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统在权利要求书中公布了:1.基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法,其特征在于,包括: S1:确定控制参数集,建立多参数耦合响应模型;所述控制参数集包括等离子体功率密度、气体流量比、基底温度、沉积时间和工作气压; S2:采用拉丁超立方采样方法针对控制参数集生成高维参数空间样本点,通过计算参数交互权重因子量化控制参数间高阶交互效应强度,结合图模型和节点重要性分析优化参数调控优先级,形成动态权重矩阵; S3:实时监测等离子体发射光谱强度比和基片表面温度场梯度,将监测数据与多参数耦合响应模型预测值对比,计算偏差量并构建动态反馈修正项,根据动态反馈修正项修正多参数耦合响应模型; S4:基于修正后的多参数耦合响应模型和动态权重矩阵,构建多目标优化问题,并采用共轭梯度法对多目标优化问题进行求解,得到最优参数配置; S5:根据得到的最优参数配置,交替施加高频脉冲阶段和弛豫阶段,并基于斐波那契序列调制脉冲频率,形成具有黄金分割比例的脉冲时序; S6:基于最优参数配置中的基底温度,采用S型曲线规划温度上升路径并叠加余弦调制,同时通入振荡补偿气体补偿因温度波动导致的反应物浓度偏差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州中瑞宏芯半导体有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区东长路88号2.5产业园N3幢101室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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