合肥晶合集成电路股份有限公司运广涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511378656.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件是由运广涛;张伟;赫文振;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本披露公开了一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：制备半导体器件结构，半导体器件结构包括：衬底、位于衬底上方的栅极结构、氧化层和氮化硅层，其中，氧化层覆盖在衬底和栅极结构的表面，氧化层经过致密度增强工艺处理，氮化硅层位于栅极结构的侧壁且覆盖氧化层；氧化处理氮化硅层，以使部分氮化硅层氧化为氧化硅层；以及通过湿法刻蚀工艺同步去除氧化硅层及位于衬底上方和栅极结构顶部的氧化层，以得到金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层包括：位于栅极结构的侧壁上的氧化层和氮化硅层。通过本披露实施例的方案能够形成良好形貌的金属硅化物阻挡层，从而防止半导体器件结构进一步受损以及金属硅化物横向扩散至沟道。
本发明授权一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种金属硅化物阻挡层的制备方法，其特征在于，包括： 制备半导体器件结构，所述半导体器件结构包括：衬底、位于衬底上方的栅极结构、氧化层和氮化硅层，其中，所述氧化层覆盖在所述衬底和所述栅极结构的表面，所述氧化层经过致密度增强工艺处理，所述氮化硅层位于所述栅极结构的侧壁且覆盖所述氧化层； 氧化处理所述氮化硅层，以使部分氮化硅层氧化为氧化硅层；以及 通过湿法刻蚀工艺同步去除所述氧化硅层及位于衬底上方和栅极结构顶部的氧化层，以得到金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层包括：位于所述栅极结构的侧壁上的氧化层和氮化硅层。
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