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龙图腾网获悉成都芯思源科技有限公司申请的专利一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120855882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511365927.X，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备是由肖山;李圳江设计研发完成，并于2025-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备，能够解决相关技术中负载或电源突变导致瞬态响应性能差的技术问题。该芯片的误差比较器实时反馈反馈电压和参考电压，在反馈电压小于参考电压的情况下，触发导通周期指令；导通时间发生器响应于导通周期指令，生成导通时间脉冲；控制模块接收误差比较器输出的反馈信号、导通时间发生器生成的导通时间脉冲，生成驱动时序；栅极驱动器根据驱动时序实现器件切换；反馈模块将输出电压按比例降至反馈电压；导通时间发生器为在负载变化的情况下，根据当前输出电压调节导通时间控制电容的充电电流，以调节当前导通时间。

本发明授权一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括：误差比较器、导通时间发生器、控制模块、栅极驱动器和反馈模块； 所述误差比较器，被配置为实时反馈反馈电压和参考电压，在所述反馈电压小于所述参考电压的情况下，触发导通周期指令； 所述导通时间发生器，被配置为响应于所述导通周期指令，生成导通时间脉冲； 所述控制模块，被配置为接收所述误差比较器输出的反馈信号、所述导通时间发生器生成的所述导通时间脉冲，生成驱动时序； 所述栅极驱动器，被配置为根据所述驱动时序实现器件切换； 所述反馈模块，被配置为将输出电压按比例降至所述反馈电压； 所述导通时间发生器还被配置为在负载变化的情况下，根据当前输出电压调节导通时间控制电容的充电电流，以调节当前导通时间； 所述导通时间发生器包括第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、第二滤波电路、高电平开关和低电平开关； 所述第一迟滞比较器的迟滞负电极、第二迟滞比较器的迟滞负电极连接；所述第一迟滞比较器的第一迟滞正电极输入第一参考电压，所述第一迟滞比较器的第二迟滞正电极输入第二参考电压；所述第一参考电压大于所述第二参考电压，所述第二参考电压大于常规参考电压；所述第二迟滞比较器的第一迟滞正电极输入第三参考电压，所述第二迟滞比较器的第二迟滞正电极输入第四参考电压；所述第三参考电压大于所述第四参考电压，所述第四参考电压大于所述常规参考电压；所述第一迟滞比较器的输出电极与所述低电平开关连接；所述第二迟滞比较器的输出电极与所述高电平开关连接； 所述第二滤波电路包括滤波电容和第一电阻；所述滤波电容的一端、所述第一电阻的一端，均与所述第一迟滞比较器的迟滞负电极连接；所述滤波电容的另一端接地；所述第一电阻的另一端输入当前反馈电压； 所述低电平开关的电流输出极、所述高电平开关的电流输入极和所述导通时间控制电容连接； 其中，在所述当前输出电压和当前参考电压小于所述第三参考电压的情况下，低电平开关处于打开状态，以使所述导通时间控制电容的充电电流减小，当前导通时间增加；在所述当前参考电压等于所述第四参考电压的情况下，低电平开关处于关闭状态； 在所述当前输出电压和所述当前参考电压大于所述第一参考电压的情况下，高电平开关处于打开状态，以使所述导通时间控制电容的充电电流增加，当前导通时间减小；在所述当前参考电压等于所述第二参考电压的情况下，高电平开关处于关闭状态。

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