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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利基于远程等离子体源的掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511332224.7，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权基于远程等离子体源的掺杂方法是由孙靖莹;崔常松;刘明源设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于远程等离子体源的掺杂方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种基于远程等离子体源的掺杂方法，用于解决如何实现三维结构均匀掺杂的技术问题。该掺杂方法包括：将晶圆放置于工艺腔室内的基座上；其中，晶圆包括叠层结构以及贯穿叠层结构的凹槽；凹槽暴露叠层结构中的多个半导体层，相邻两个半导体层之间形成有与凹槽连通的间隙；向远程等离子体源的输入端提供掺杂气体，以生成等离子体；其中，远程等离子体源的输出端连接工艺腔室，等离子体包括处于高能量状态的高能粒子和处于低能量状态的低能粒子；滤除等离子体中的高能粒子，并将低能粒子提供至工艺腔室，以对凹槽和间隙暴露的多个半导体层均进行掺杂处理。如此，可以实现三维结构的均匀掺杂以及减少半导体层的晶格损伤。

本发明授权基于远程等离子体源的掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种基于远程等离子体源的掺杂方法，其特征在于，包括： 将晶圆放置于工艺腔室内的基座上；其中，所述晶圆包括叠层结构以及贯穿所述叠层结构的凹槽；所述凹槽暴露所述叠层结构中的多个半导体层，相邻两个所述半导体层之间形成有与所述凹槽连通的间隙； 向所述远程等离子体源的输入端提供掺杂气体，以生成等离子体；其中，所述远程等离子体源的输出端连接所述工艺腔室，所述等离子体包括处于高能量状态的高能粒子和处于低能量状态的低能粒子； 滤除所述等离子体中的所述高能粒子，并将所述低能粒子提供至所述工艺腔室，以对所述凹槽和所述间隙暴露的多个所述半导体层均进行掺杂处理； 所述滤除所述等离子体中的所述高能粒子，并将所述低能粒子提供至所述工艺腔室，包括：提供偏置磁场或者偏置电场至传输通道，以将所述高能粒子从所述等离子体中滤除；其中，所述传输通道分别连接所述远程等离子体源的输出端和所述工艺腔室； 所述提供偏置磁场或者偏置电场至传输通道，以将所述高能粒子从所述等离子体中滤除，包括：在所述偏置磁场或者所述偏置电场的作用下，沿预设方向传输的所述高能粒子的传输方向发生改变，并与所述传输通道的内侧壁碰撞，以使所述高能粒子的能量和或密度降低。

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