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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120822480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511315927.9，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统是由谢刚;潘文杰设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统。所述方法包括：在超级结MOS器件设置多个沟槽排布区域；在中心导通区域设置第一沟槽间距，在中间缓冲区域设置大于第一沟槽间距的第二沟槽间距，在终端过渡区域设置大于第二沟槽间距的第三沟槽间距，以解决超级结MOS器件中沟槽均匀排布时，中心区域电场集中导致击穿电压下降，同时终端区域导通能力过剩造成硅面积浪费的技术问题，达到通过沿沟槽排布方向设置梯度化的第一、第二、第三沟槽间距，使电场在中心导通区‑中间缓冲区‑终端过渡区平滑过渡、显著降低单位面积导通电阻并提升整体击穿电压和器件可靠性的技术效果。

本发明授权用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.用于超级结MOS器件的电性能优化方法，其特征在于，所述方法包括： 在超级结MOS器件设置多个沟槽排布区域，所述多个沟槽排布区域包括中心导通区域、中间缓冲区域和终端过渡区域； 在所述中心导通区域设置第一沟槽间距，在所述中间缓冲区域设置大于所述第一沟槽间距的第二沟槽间距，在所述终端过渡区域设置大于所述第二沟槽间距的第三沟槽间距；其中，所述第一沟槽间距、所述第二沟槽间距和所述第三沟槽间距通过间距梯度函数配置获取； 所述多个沟槽排布区域还包括中心导通区域、内过渡区域、中间缓冲区域、外过渡区域和终端过渡区域； 其中，所述内过渡区域设置第四沟槽间距，所述第四沟槽间距大于等于所述第一沟槽间距且小于所述第二沟槽间距，所述外过渡区域设置第五沟槽间距，所述第五沟槽间距大于等于所述第二沟槽间距且小于等于所述第三沟槽间距； 所述间距梯度函数为非线性间距梯度函数，所述非线性间距梯度函数为幂函数差值函数； 所述幂函数差值函数通过控制非线性曲率的梯度调节参数进行梯度调节，设置所述第一沟槽间距、所述第二沟槽间距、所述第三沟槽间距、所述第四沟槽间距和所述第五沟槽间距； 识别不同超级结MOS器件类型的器件耐压区间样本； 建立所述器件耐压区间样本和梯度调节参数之间的调节映射关系，识别所述超级结MOS器件的器件耐压区间，根据所述调节映射关系在取值范围内获取所述器件耐压区间匹配的梯度调节参数； 其中，所述梯度调节参数的取值范围为[1.2，3.0]。

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