浙江大学张亦舒获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511317391.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法是由张亦舒;凡雪蒙;王字健;张国滨;于豪祥设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法，属于半导体领域。本发明旨在解决现有的忆阻器存在潜流现象影响系统精度以及记忆的动态调节能力不足造成系统缺乏适应性和灵活性的问题，本发明的忆阻器包括：顶电极、功能层和底电极，所述顶电极采用惰性高导电性薄膜，所述底电极为惰性金属电极；所述功能层包括阻挡层和阻变层；其中，所述阻挡层与阻变层在接触界面处形成异质结势垒；阻变层中不同能量深度陷阱的占据状态决定长短期记忆转换，从而实现长短期记忆功能；顶电极与阻变层、阻挡层与底电极形成的肖特基势垒之间存在势垒差以实现自整流作用。本发明能提高长短期记忆动态转换系统对复杂信息的处理适配性。
本发明授权一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有自适应性的自整流忆阻器制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选取半导体材料作为薄膜沉积的基底，并在其上生长一层氧化硅作为衬底； 步骤2：在所述衬底上制备底电极，所述底电极为惰性金属电极； 步骤3：采用薄膜沉积工艺ALD或者磁控溅射的方法在所述底电极上制备功能层；所述功能层包括阻挡层和阻变层，所述阻挡层采用氧化镓薄膜，所述阻变层采用氧化铟薄膜； 其中，所述阻挡层与阻变层在接触界面处形成异质结势垒；阻变层中不同能量深度陷阱的占据状态决定长短期记忆转换，从而实现长短期记忆功能； 步骤4：在所述功能层上制备顶电极，获得具有自适应性的自整流忆阻器； 所述顶电极与阻变层、阻挡层与底电极的接触界面形成肖特基势垒，共同对电荷的运动形成阻碍；顶电极与阻变层、阻挡层与底电极形成的肖特基势垒之间存在势垒差以实现自整流作用。
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