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龙图腾网获悉天府绛溪实验室申请的专利一种纳米硅的制备方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120793932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511283199.8，技术领域涉及：C01B33/025；该发明授权一种纳米硅的制备方法及设备是由向勇;朱禄发;陈颉颃;蒋琰设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纳米硅的制备方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米硅的制备方法及设备。制备方法包括以下步骤：提供硅源及碳源，硅源中含有二氧化硅，按照二氧化硅与碳的预设摩尔比进行混合并进行原料预处理，得到待反应原料；提供内置电弧反应腔和冷凝成核腔的电弧炉，对电弧反应腔内的第一石墨电极和第二石墨电极通入高压电源产生电弧放电，分别形成第一高温区域和第二高温区域；惰性气体将待反应原料送入电弧反应腔，在第一高温区域内进行还原反应生成硅和二氧化碳，第一高温区域内残余的待反应原料进入到第二高温区域内进一步反应，生成的硅在第一高温区域及第二高温区域气化后生成硅蒸气；惰性气体将硅蒸气及二氧化碳气体送至冷凝成核腔进行冷凝处理，使硅蒸气冷凝生成纳米级硅颗粒。

本发明授权一种纳米硅的制备方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种纳米硅的制备方法，在通入惰性气体的真空密封环境下进行，其特征在于，制备方法包括以下步骤： 提供固态的硅源及碳源，硅源中含有二氧化硅，按照二氧化硅与碳的预设摩尔比进行混合得到初始原料，对初始原料进行原料预处理得到待反应原料； 提供内置电弧反应腔和冷凝成核腔的电弧炉，电弧反应腔内设有依次排布的第一石墨电极和第二石墨电极，对第一石墨电极和第二石墨电极通入高压电源产生电弧放电，分别形成5000℃至10000℃的第一高温区域和10000℃至15000℃的第二高温区域，冷凝成核腔内的气体流速为10ms至30ms； 通过流动的惰性气体将待反应原料送入电弧反应腔，在第一高温区域内充分气化且同时发生还原反应生成硅蒸气和二氧化碳气体，化学方程式为：SiO2+C→Si+CO2↑，第一高温区域内残余的待反应原料进入到第二高温区域内进一步充分反应； 惰性气体将硅蒸气及二氧化碳气体送至冷凝成核腔进行冷凝处理，实现2000℃、500℃、100℃的梯度降温，使硅蒸气冷凝生成纳米级硅颗粒。

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