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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511288242.X，技术领域涉及：H10D62/00；该发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件是由崔立加;余义祥;王梦晴;李敏新设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本方案涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该半导体器件的制造方法包括:提供一衬底，衬底包括通过隔离沟槽分隔的至少两个区域，至少一个区域中形成有功能沟槽；对形成有功能沟槽的区域进行掺杂离子注入，形成MOS区；在功能沟槽形成应变增强沟槽；在应变增强沟槽内生长应变材料，使应变材料的上表面高于衬底的上表面；在隔离沟槽和应变增强沟槽中填充隔离介质；以应变材料的上表面和衬底的上表面之间形成的高度差为自对准基准，在预设栅极区域中形成伪栅结构。通过先形成MOS区后形成伪栅结构，在伪栅结构移除时，采用化学机械研磨工艺能够对伪栅结构进行均匀研磨，解决Loading问题。

本发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括: 提供一衬底100，所述衬底100包括通过隔离沟槽105分隔的至少两个区域，至少一个所述区域中形成有功能沟槽106； 对形成有所述功能沟槽106的区域进行掺杂离子注入，形成MOS区； 在所述功能沟槽106形成应变增强沟槽109； 在所述应变增强沟槽109内生长应变材料110，使所述应变材料110的上表面高于所述衬底100的上表面； 在所述隔离沟槽105和所述应变增强沟槽109中填充隔离介质111； 以所述应变材料110的上表面和所述衬底100的上表面之间形成的高度差为自对准基准，在预设栅极区域中形成伪栅结构； 所述预设栅极区域为所述MOS区的衬底100上由相邻所述应变材料110之间的间隔区域； 以所述应变材料110的上表面和所述衬底100的上表面之间形成的高度差为自对准基准，在所述MOS区的预设栅极区域形成伪栅结构具体包括： 在经过减薄处理的所述隔离介质111和所述衬底100上形成并经过减薄处理的第一垫氧化层101上依次形成多晶硅层112、介质保护层和碳基掩膜层115； 平坦化所述碳基掩膜层115至所述介质保护层表面，平坦化处理后的碳基掩膜层115位于所述应变材料110的两侧； 以平坦化处理后的所述碳基掩膜层115为硬掩膜，刻蚀形成所有区域的堆叠结构； 去除多余的所述碳基掩膜层115； 图案化所述堆叠结构，形成伪栅结构。

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