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龙图腾网获悉长城电源技术有限公司申请的专利功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120779202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511284378.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法是由金晓毅;石谨宁;程本良;周道明设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法，涉及半导体器件测试技术领域。单点检测装置包括脉冲触发电路、采样反馈电路、驱动放大电路、电容储能电路以及数据采集器；脉冲触发电路用于根据特定测试点对应的导通时间输出预设宽度的脉冲信号；采样反馈电路用于采集功率MOSFET的漏极电流并产生反馈信号；驱动放大电路根据反馈信号和脉冲信号驱动功率MOSFET导通或断开；电容储能电路根据特定测试点对应的漏源电压给功率MOSFET提供目标漏源电压；数据采集器记录功率MOSFET的漏源电压和漏极电流的波形。本申请的单点检测装置无需增加额外线路，通过调节单点检测装置内器件实现参数匹配，提高了测试效率，具有高效、灵活以及高精度等优点。

本发明授权功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET安全工作区的单点检测装置，其特征在于，包括： 脉冲触发电路，用于根据安全工作区曲线中特定测试点对应的导通时间输出预设宽度的脉冲信号； 采样反馈电路，连接功率MOSFET，用于采集所述功率MOSFET的漏极电流并产生反馈信号； 驱动放大电路，连接所述脉冲触发电路和所述采样反馈电路，用于根据所述脉冲信号和所述反馈信号驱动所述功率MOSFET导通或断开； 电容储能电路，连接在所述功率MOSFET的漏极和源极之间，用于根据所述安全工作区曲线中特定测试点对应的漏源电压给所述功率MOSFET提供目标漏源电压；以及 数据采集器，用于记录所述功率MOSFET的漏源电压的波形和漏极电流的波形，其中，所述功率MOSFET的漏源电压的波形和或漏极电流的波形用于判断所述功率MOSFET是否失效； 所述驱动放大电路包括： 第一开关管，所述第一开关管的第一端用于接收直流电压，所述第一开关管的控制端连接所述脉冲触发电路，用于接收所述脉冲信号； 第二开关管，所述第二开关管的第一端接地，所述第二开关管的第二端连接所述第一开关管的第二端，所述第二开关管的控制端连接所述第一开关管的控制端； 第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的第二端； 第二二极管，所述第二二极管的阳极连接所述第一开关管的第一端； 第三开关管，所述第三开关管的第一端连接所述第二二极管的阴极，所述第三开关管的控制端连接所述第一二极管的阳极；以及 第四开关管，所述第四开关管的第一端接地，所述第四开关管的第二端分别与所述第三开关管的第二端和所述功率MOSFET的控制端连接，所述第四开关管的控制端连接所述第三开关管的控制端； 所述采样反馈电路还用于根据所述安全工作区曲线中特定测试点对应的漏极电流设定目标漏极电流； 所述采样反馈电路包括： 第二电阻，所述第二电阻的第一端用于接收所述直流电压； 第二可调电阻，所述第二可调电阻的第一端连接所述第二电阻的第二端，所述第二可调电阻的第二端接地； 基准源，所述基准源的第一端分别与所述基准源的参考端和所述第二可调电阻的第一端连接，所述基准源的第二端接地； 采样电阻，所述采样电阻的第一端连接所述功率MOSFET的源极，所述采样电阻的第二端接地，所述采样电阻用于采集所述功率MOSFET的漏极电流并产生采样信号；以及 比较器，所述比较器的第一输入端连接所述采样电阻的第一端，用于接收所述采样信号，所述比较器的第二输入端连接所述第二可调电阻的滑动端，用于接收可调基准电压，所述比较器的输出端连接所述第四开关管的控制端，用于输出所述反馈信号。

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