深圳平湖实验室罗曦溪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利碳化硅功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511197030.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅功率器件及其制作方法是由罗曦溪设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，该碳化硅功率器件的终端结构包括碳化硅衬底层，具有第一表面和第二表面，第一表面和第二表面在碳化硅衬底层的厚度方向上相对；外延层，设置于碳化硅衬底层的第一表面；终端部，设置于外延层的背离碳化硅衬底层的表面；终端部为环形、并具有内孔和外缘；终端部具有至少两个子部，至少两个子部中的各子部沿内孔指向外缘的方向排布，且相邻两个子部的厚度不同。该方案有利于使碳化硅功率器件的电场均匀分布、改善尖峰问题。
本发明授权碳化硅功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，包括有源区和终端区，所述终端区环绕所述有源区，所述终端区设置有终端结构；其特征在于，所述终端结构包括： 碳化硅衬底层，具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面在所述碳化硅衬底层的厚度方向上相对； 外延层，设置于所述碳化硅衬底层的第一表面； 终端部，设置于所述外延层的背离所述碳化硅衬底层的表面；所述终端部为环形、并具有内孔和外缘； 所述终端部具有至少两个子部，所述至少两个子部中的各子部沿所述内孔指向所述外缘的方向排布；相邻两个所述子部的厚度不同，或者，沿所述内孔指向所述外缘的方向，所述终端部的厚度逐渐降低； 所述内孔与所述外缘之间的距离大于所述外延层与所述终端部的厚度之和。
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