买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120745221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510900127.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法是由付志伟;郭小童;徐海;于浩设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法，包括：获取正向电流下与反向电流下Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的Cu原子净通量以及Ni‑Cu‑Sn化合物层中的Ni原子净通量；建立Ni原子净通量与Ni‑Cu‑Sn化合物层厚度变化的关系以及Cu原子净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系；建立Ni‑Cu‑Sn化合物、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型；建立Cu焊盘、Sn焊料、Ni层的厚度极性消耗模型；建立微铜柱凸点互连的电阻电迁移退化模型。本发明能够实现镀Ni层的铜柱凸点互连电阻的电迁移退化预测，极大地降低或避免大量的寿命和失效分析试验所产生的时间和经济成本。

本发明授权一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法在权利要求书中公布了：1.一种微铜柱凸点互连电阻电迁移退化预测方法，所述微铜柱凸点互连从上至下依次包括铜柱、Ni层、Ni-Cu-Sn化合物层、Sn焊料、Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Cu焊盘，其特征在于，所述方法包括： 选择Cu焊盘到Sn焊料的方向为正向电流方向，选择正向电流方向的相反方向为反向电流方向，分别获取正向电流下与反向电流下Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的Cu原子净通量以及Ni-Cu-Sn化合物层中的Ni原子净通量； 基于所获取的Cu原子净通量以及Ni原子净通量，建立正向电流与反向电流下Ni原子净通量与Ni-Cu-Sn化合物层厚度变化的关系以及Cu原子净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系； 根据Ni原子净通量与Ni-Cu-Sn化合物层厚度变化的关系以及Cu原子净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系，建立正向电流下与反向电流下Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型； 基于Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型，建立正向电流下与反向电流下Ni层、Sn焊料、Cu焊盘的厚度极性消耗模型； 基于Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型和Ni层、Sn焊料、Cu焊盘的厚度极性消耗模型建立正向电流下与反向电流下微铜柱凸点互连的电阻电迁移退化模型； 正向电流下与反向电流下Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度极性生长模型为： 正向电流下： 反向电流下： 其中，C1、C2和C3分别是与初始Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度相关的积分计算常数，t是时间； 其中，CNi、DNi和分别是Ni在Ni层中的原子浓度、热扩散率和有效电荷数，CNimix、DNimix和分别是Ni在Ni-Cu-Sn化合物层的原子浓度、热扩散率和有效电荷数，CNiSn是溶解在Sn焊料中的Ni原子浓度，DCuη、DCuε和DCuSn分别是Cu原子在Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Sn焊料中的热扩散率，CCu、CCuη、CCuε和CCuSn分别是Cu在Cu焊盘、Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Sn焊料中的原子浓度，和分别是Cu在Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Sn焊料中的有效电荷数，e是单位电荷量，j为平均电流密度，k是玻尔兹曼常数，T是开尔文温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。