湖南德智新材料股份有限公司刘赋灵获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120738623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511256014.4，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料是由刘赋灵;余盛杰;廖家豪设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料。方法包括如下步骤：将基底放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备抽真空，随后通入惰性气体；硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积设备，硼源气体经第二进气通道注入化学气相沉积设备，采用化学气相沉积工艺在所述基底表面沉积碳化硅；进行梯度退火后，去除基底；其中，步骤2中，第一进气通道的进气口和第二进气通道的进气口的间距≥20cm。通过该方法可明显提高碳化硅中的硼元素掺杂量，从而提高碳化硅的电阻率，提高碳化硅的耐刻蚀性能。
本发明授权一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料在权利要求书中公布了：1.一种制备高电阻率碳化硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：将基底放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备抽真空，随后通入惰性气体； 步骤2：硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积设备，硼源气体经第二进气通道注入化学气相沉积设备，采用化学气相沉积工艺在所述基底表面沉积碳化硅； 步骤3：进行梯度退火后，去除基底； 其中，步骤2中，第一进气通道的进气口和第二进气通道的进气口的间距≥20cm。
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