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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172933.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备。其中，图像传感器的制备方法包括：提供一形成有浅槽隔离结构的衬底；在浅槽隔离结构的上方形成绝缘层；在绝缘层上形成多个间隔分布的隔离区域；在每个隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二极管，其中双层的交错结构的光电二极管包括包含有第VA主族元素的第一交错结构、外延层以及第二交错结构；以及在每个隔离区域中的光电二极管上方形成滤光结构。通过本申请的方案，能够避免对衬底造成的非必要损伤，同时在各个隔离区域中形成具有双层的交错结构的光电二极管，可以避免出现混色问题，以及能够产生更多的电离子，从而使得所制备的图像传感器的性能得到有效提升。

本发明授权图像传感器的制备方法、图像传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供一形成有浅槽隔离结构的衬底； 在所述浅槽隔离结构的上方形成绝缘层； 在所述绝缘层上形成多个间隔分布的隔离区域，具体对位于所述绝缘层的背面的衬底进行平坦化处理，在所述绝缘层上依次沉积多层隔离层；以及对所述多层隔离层进行刻蚀处理，以形成多个所述隔离区域； 在每个所述隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二极管，其中所述双层的交错结构的光电二极管包括包含有第VA主族元素的第一交错结构、外延层以及第二交错结构；以及 在每个所述隔离区域中的光电二极管上方形成滤光结构； 其中，在每个所述隔离区域形成具有双层的交错结构的光电二极管包括： 在每个所述隔离区域中的绝缘层上形成所述第一交错结构； 在每个所述隔离区域的第一交错结构上方形成所述外延层；以及 在每个所述隔离区域中的外延层上形成所述第二交错结构，其中所述第一交错结构和所述第二交错结构包括Si-Sb层和间隔分布在Si-Sb层中的多个Si-P层，且所述第二交错结构中的Si-P层的底面与所述外延层的顶面齐平。

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