湖南德智新材料股份有限公司刘赋灵获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511256016.3，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座是由刘赋灵;余盛杰;廖家豪设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座在说明书摘要公布了：本发明涉及的技术领域，提供了一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座，该方法包括：对石墨基座进行预处理，放置于化学气相沉积室内；对化学气相沉积室抽真空，随后用惰性气体清洗化学气相沉积室；采用化学气相沉积工艺在石墨基座表面沉积一层碳化硅涂层；沉积碳化硅涂层的气体体系中包括硅碳源气体、硼源气体、载气；硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积室；硼源气体经第二进气通道注入化学气相沉积室；其中，第一进气通道的进气口和第二进气通道的进气口的间距≥20cm；硼源气体和硅碳源气体的流量比为0.5‑4:1。本发明提供的半导体外延基座具有较高耐腐蚀性能和使用寿命。
本发明授权一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的方法及半导体外延基座在权利要求书中公布了：1.一种石墨基座表面沉积碳化硅涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：对石墨基座进行预处理，放置于化学气相沉积室内； 步骤2：对化学气相沉积室抽真空，随后用惰性气体清洗化学气相沉积室； 步骤3：采用化学气相沉积工艺在石墨基座表面沉积一层碳化硅涂层； 步骤3中，沉积碳化硅涂层的气体体系中包括硅碳源气体、硼源气体、载气；硅碳源气体和载气经第一进气通道注入化学气相沉积室；硼源气体经第二进气通道注入化学气相沉积室；其中，第一进气通道的进气口和第二进气通道的进气口的间距≥20cm；硼源气体和硅碳源气体的流量比为0.5-4:1。
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