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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种高压电源选高电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120710491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510859697.6，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种高压电源选高电路及其控制方法是由林潇垄;付美俊;靳瑞英设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压电源选高电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压电源选高电路及其控制方法，包含浮动电源产生电路、高压浮动比较器电路、反相器INV1～INV4、高压PMOS管PDM5和高压PMOS管PDM6，浮动电源产生电路产生浮动高压HVDD和浮动低压HVSS，高压浮动比较器电路的两路输入分别连接输入信号V1、V2，反相器INV1～INV4将高压浮动比较器电路的输出信号产生两个反相的信号A、B，高压浮动比较器电路的高压电源端、高压PMOS管PDM5的源极和高压PMOS管PDM6D的源极连接浮动高压HVDD，高压浮动比较器电路的低压电源端连接浮动低压HVSS。本发明实现了高压电源选高电路。

本发明授权一种高压电源选高电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高压电源选高电路，其特征在于：包含浮动电源产生电路、高压浮动比较器电路、反相器INV1～INV4、高压PMOS管PDM5和高压PMOS管PDM6，浮动电源产生电路产生浮动高压HVDD和浮动低压HVSS，高压浮动比较器电路的第一输入端与高压PMOS管PDM5的漏极连接并连接输入信号V1，高压浮动比较器电路的第二输入端与高压PMOS管PDM6的漏极连接并连接输入信号V2，高压浮动比较器电路的高压电源端、高压PMOS管PDM5的源极和高压PMOS管PDM6D的源极连接浮动高压HVDD，高压浮动比较器电路的低压电源端连接浮动低压HVSS，高压浮动比较器电路的输出端与反相器INV1的输入端连接，反相器INV1的输出端与反相器INV2的输入端连接，反相器INV2的输出端与反相器INV3的输入端连接，反相器INV3的输出端与反相器INV4的输入端和高压PMOS管PDM5的栅极连接并产生信号A，反相器INV4的输出端与高压PMOS管PDM6的栅极连接并产生信号B； 所述高压浮动比较器电路包含NMOS管NM1～NM4、PMOS管PM1～PM2、高压PMOS管PDM1～PDM4和电流源I1，高压PMOS管PDM1的漏极与高压PMOS管PDM3的漏极连接并作为高压浮动比较器电路的第一输入端，高压PMOS管PDM2的漏极与高压PMOS管PDM4的漏极连接并作为高压浮动比较器电路的第二输入端，高压PMOS管PDM1的栅极与高压PMOS管PDM2的栅极、高压PMOS管PDM3的栅极、高压PMOS管PDM4的栅极、高压PMOS管PDM1的源极、高压PMOS管PDM2的源极和电流源I1的一端连接，高压PMOS管PDM1的body端与高压PMOS管PDM3的body端、高压PMOS管PDM2的body端、高压PMOS管PDM4的body端、PMOS管PM1的源极和PMOS管PM2的源极连接并作为高压浮动比较器电路的高压电源端，高压PMOS管PDM3的源极与NMOS管NM2的漏极、NMOS管NM2的栅极、NMOS管NM1的栅极和NMOS管NM3的栅极连接，高压PMOS管PDM4的源极与NMOS管NM3的漏极和NMOS管NM4的栅极连接，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM2的栅极、PMOS管PM1的漏极和NMOS管NM1的漏极连接，PMOS管PM2的漏极与NMOS管NM4的漏极连接并作为高压浮动比较器电路的输出端，NMOS管NM1的源极、NMOS管NM2的源极、NMOS管NM3的源极和NMOS管NM4的源极作为高压浮动比较器电路的低压电源端，电流源I1的另一端接地。

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