买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京宽温微电子科技有限公司申请的专利ROM存储器及其数据读取方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120690240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511197674.X，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权ROM存储器及其数据读取方法、电子设备是由关琢玮;张雪;程平;佘一奇设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本ROM存储器及其数据读取方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及存储器技术领域，具体提供了一种ROM存储器及其数据读取方法、电子设备，包括：存储电路，参考电路，比较电路；存储电路包括多路选择器和存储阵列；参考电路的参考负载大于读取位线的最小负载且小于最大负载，读取时产生的参考电压的电压‑时间变化斜率小于存储单元读0时的斜率且大于读1时的斜率，读取位线为多路选择器对应的位线；比较电路比较参考电压和读取电压，确定输出读取数字信号，读取电压为读取存储单元的输出电压。以解决相关技术中的大容量ROM只读存储器负载较高导致读取速度慢容易读错的问题。

本发明授权ROM存储器及其数据读取方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种ROM存储器，其特征在于，包括：存储电路，参考电路，比较电路； 所述存储电路包括多路选择器和存储阵列，所述存储阵列包括阵列设置的多个存储单元； 所述参考电路用于在读取时基于参考负载产生参考电压，所述参考负载大于任一所读取位线的最小负载，且小于任一所读取位线的最大负载，以使所述参考电压的电压-时间变化斜率，小于存储单元读0时的电压-时间变化斜率，且大于存储单元读1时的电压-时间变化斜率，其中，所述读取位线为读取时与所述多路选择器对应的位线； 所述比较电路的两个输入端分别与所述参考电路和所述存储电路相连，用于比较所述参考电压和读取电压的大小，确定对应的输出读取数字信号，其中，所述读取电压为读取存储单元存储数据时，所述存储电路的输出电压； 所述参考电路包括所述读取位线上的相同数量的第一MOS管，以及预设数量的存储单元作为参考单元；所述参考单元的源级或漏极一端接所述位线，另一端接地，以使所述参考单元全部存储为0； 所述参考单元中一个存储单元的栅极的使能信号为对应的虚拟字线，以使所述存储阵列中任何一根对应的字线开启，所述虚拟字线都开启；所述参考单元中其余的存储单元的栅极均设置为低电平保证所述存储单元处于关闭的状态。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京宽温微电子科技有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文化园西路8号院30号楼2层206；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。