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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利绝缘栅双极型晶体管的建模方法、装置、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120688424B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510869321.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权绝缘栅双极型晶体管的建模方法、装置、存储介质及程序产品是由吴玉舟;禹樾设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅双极型晶体管的建模方法、装置、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管的建模方法、装置、存储介质及程序产品。该绝缘栅双极型晶体管的建模方法包括：获取绝缘栅双极型晶体管栅极和集电极之间的电容测试数据；根据预设电路模型构建绝缘栅双极型晶体管在开启阶段和关断阶段的动态电容分段函数；基于电容测试数据对分段函数进行参数提取，以描述绝缘栅双极型晶体管在开启和或关断过程中的电容变化。本发明实施例的技术方案，通过设置绝缘栅双极型晶体管的建模方法，实现对绝缘栅双极型晶体管在开关过程中的行为变化分析。

本发明授权绝缘栅双极型晶体管的建模方法、装置、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管的建模方法，其特征在于，包括： 获取绝缘栅双极型晶体管栅极和集电极之间的电容测试数据； 根据预设电路模型构建所述绝缘栅双极型晶体管在开启阶段和关断阶段的动态电容分段函数； 基于所述电容测试数据对所述分段函数进行参数提取，以描述所述绝缘栅双极型晶体管在开启和或关断过程中的电容变化； 所述预设电路模型包括第一电路模型和第二电路模型；所述第一电路模型包括绝缘栅双极型晶体管、第一压控电压源、第一电容、第二压控电压源、第二电容、第三电容和第一电压源；所述第二电路模型包括第一电流源、第一电阻、第四电容和第二电压源；所述绝缘栅双极型晶体管的集电极与所述第一电压源的一端连接，所述第一电压源的另一端与所述第一电容的一端以及所述第二电容的一端连接且连接点为第一节点；所述第一电容的另一端与所述第一压控电压源的一端连接；所述第一压控电压源的另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极以及所述第三电容的一端连接且连接点为第二节点；所述第三电容的另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极以及所述第二压控电压源的一端连接；所述第二压控电压源的另一端与所述第二电容的另一端连接；所述第一电流源的一端与所述第二电压源一端以及所述第四电容的一端连接；所述第二电压源另一端与所述第一电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端与所述第一电流源的另一端以及所述第四电容的另一端连接且接地； 所述根据预设电路模型构建所述绝缘栅双极型晶体管在开启阶段和关断阶段的动态电容分段函数，包括： 根据所述第一电路模型和所述第二电路模型建立第一函数： ； 其中，为第一压控电压源；为第一节点与第二节点之间的电压；为第一子函数，所述第一子函数根据所述第一节点与所述第二节点之间的电压确定；为第四电容； 根据所述第一电路模型和所述第二电路模型中的电流关系确定所述绝缘栅双极型晶体管的状态； 根据所述第一函数以及所述绝缘栅双极型晶体管的状态确定所述分段函数； 所述第一子函数根据所述第一节点与所述第二节点之间的电压确定，包括： 当所述第一节点与所述第二节点之间的电压小于或等于零时，所述第一子函数等于0； 当所述第一节点与所述第二节点之间的电压大于零时，所述第一子函数为：；其中，为第一电容；为绝缘栅双极型晶体管的集电极与栅极之间的电压；为绝缘栅双极型晶体管的集电极与栅极之间的电压的第一调节因子；为第一拟合系数； 所述根据所述第一函数以及所述绝缘栅双极型晶体管的状态确定所述分段函数，包括： ； 其中，为第一压控电压源；为第一节点与第二节点之间的电压；为第一电容；为绝缘栅双极型晶体管的集电极与栅极之间的电压；为绝缘栅双极型晶体管的集电极与栅极之间的电压的第一调节因子；为第一拟合系数；为第四电容；为绝缘栅双极型晶体管的集电极与栅极之间的电压的第二调节因子；为第二拟合系数；为第一电流源的电流；为流经所述第二电压源的电流。

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