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龙图腾网获悉陕西固勤材料技术有限公司申请的专利一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120664879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188320.9，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁及其制备方法是由于飞;皇甫丙臣;邱冰山;邢涛;白肖雄;马梁元设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅陶瓷异形梁制备技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁及其制备方法，包括以下组成及结构：材料组成：基体材料为碳化硅粉体：粒径呈双峰分布，主相3‑5μm，纳米相0.5‑1μm；复合助烧剂；本发明通过材料组成与结构的创新设计，实现了多尺度协同强化和表面梯度防护，其中基体采用双峰分布的碳化硅粉体，通过微米级颗粒骨架与纳米颗粒填充孔隙的协同作用，显著减少异形截面因收缩不均导致的内部裂纹，同时复合助烧剂可以抑制晶粒异常长大，协同降低烧结温度，减少多腔结构变形风险，并且通过梯度增强相大大提升了棱角抗裂纹扩展能力，还通过深层渗硅强化解决了异形棱角处硬化层不均问题。

本发明授权一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无压烧结碳化硅陶瓷异形梁的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.数据采集与建模：采集以往异形梁制备数据及专家分析数据，建立异形梁三维虚拟模型，通过实时采集浆料粘度、注模压力及温度数据，输入异形梁三维虚拟模型模拟烧结收缩率及应力分布，并预测收缩率，动态调整模具尺寸，后优化粉体级配方案，预测最佳烧结曲线； 步骤2.物料准备与坯体制备： 将碳化硅粉体、复合助烧剂及石墨烯按比例混合，球磨24-48h，得到浆料，后将浆料于恒温恒湿环境静置一段时间，形成均匀泥料；碳化硅粉体粒径呈双峰分布，主相3-5μm，纳米相0.5-1μm；石墨烯总添加量为基体材料质量的0.5-2%，石墨烯为片层结构，单层厚度≤5nm，横向尺寸为1-5μm，且表面经羟基化改性处理，均匀分散于基体中；Ti3SiC2总添加量为基体材料质量的5-15%； 将获取的均匀泥料在pH=10-11的丙烯酰胺体系中分散，后注入石膏模成型，静置得到成型的坯体； 后将坯体浸渍质量比1：2的桐油-糯米浆复合液，低温烘干形成预增强网络； 步骤3.无压阶梯烧结：将上述步骤得到的坯体送入烧结炉，后启动烧结炉进行烧结处理，处理分为三个阶段，具体如下所示： 脱脂阶段：以2-3℃min升温至800℃，保温1.5-2h； 预烧结阶段：以5℃min升温至1400℃，保温0.4-0.6h，后续再以3℃min升温至1600℃，保温0.8-1h； 终烧结阶段：以8℃min升温至2050-2150℃，保温2-4h； 烧结过程中通过嵌入式光纤传感器反馈温度收缩数据，后输入异形梁三维虚拟模型，预测变形量及应力分布，动态调整烧结参数； 步骤4.后处理与验证：烧结结束后，将得到的样体送入热等静压设备中，后在氩气环境下保压一段时间，且保压时，调节温度与压力，在高温环境下通入SiCl4蒸气反应生成β-SiC纳米晶层，进行初次渗硅，保压结束后，将聚碳硅烷先驱体涂覆于梁体表面，于真空炉中高温渗硅一段时间，进行二次渗硅，渗硅结束后，送入还原炉，在高温环境下处理形成Fe3O4保护膜，得到最终产品，最终产品在1500-2000℃下热震循环＞50次进行验证；所述异形梁截面为多腔异形结构，边数≥4；所述步骤4中： 二次渗硅时温度为1600-1700℃，时间为2-4h； 还原时，通过实时光谱监控Fe3+Fe2+比例1.8-2.2，动态调整FeCO5流量，Fe3O4保护膜形成过程中，FeCO5蒸气流量与温度梯度满足ΔQ=0.0005T²-0.12T+0.8，T为温度，单位℃，ΔQ单位为Lmin，膜层厚度控制在2-5μm。

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