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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120582608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510744976.8，技术领域涉及：H03K17/74；该发明授权一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路及方法是由林潇垄;付美俊;靳瑞英设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路及方法，包含功率管NPW1、功率管NPW2、钳位环路和误差放大器EA，功率管NPW1的漏极与钳位环路的第一输入端连接并连接输入信号VIN，功率管NPW1的源极与功率管NPW2的源极和钳位环路的第二输入端连接，功率管NPW2的漏极产生输出信号VOUT，钳位环路的输出端与误差放大器EA的正相输入端连接，误差放大器EA的反相输入端连接基准电压VREF，误差放大器EA的输出端与功率管NPW1的栅极和功率管NPW2的栅极连接。本发明可以实现宽范围的电容负载驱动，而不需要额外的补偿电路。

本发明授权一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种可驱动大电容负载的高压理想二极管电路，其特征在于：包含功率管NPW1、功率管NPW2、钳位环路和误差放大器EA，功率管NPW1的漏极与钳位环路的第一输入端连接并连接输入信号VIN，功率管NPW1的源极与功率管NPW2的源极和钳位环路的第二输入端连接并产生信号VS，功率管NPW2的漏极产生输出信号VOUT，钳位环路的输出端与误差放大器EA的正相输入端连接并产生信号VSEN，误差放大器EA的反相输入端连接基准电压VREF，误差放大器EA的输出端与功率管NPW1的栅极和功率管NPW2的栅极连接，误差放大器EA的电源端连接信号VCP，误差放大器EA的接地端接地； 所述钳位环路包含电阻R1～R4、高压PMOS管PDM1～PDM5、PMOS管PM1～PM2、高压NMOS管NDM1、电流源I1和电流源I2，电阻R1的一端作为钳位环路的第一输入端连接输入信号VIN，电阻R2的一端作为钳位环路的第二输入端连接信号VS，电阻R1的另一端与高压PMOS管PMD3的漏极和高压PMOS管PDM5的源极连接于节点A，电阻R2的另一端与高压PMOS管PDM4的漏极连接于节点B，高压PMOS管PDM3的栅极与高压PMOS管PMD4的栅极、高压PMOS管PDM1的栅极、电阻R3的一端、电流源I1的一端和高压PMOS管PDM2的栅极连接，高压PMOS管PDM3的源极与PMOS管PM1的源极连接，高压PMOS管PDM4的源极与PMOS管PM2的源极连接，PMOS管PM1的栅极与高压PMOS管PDM1的漏极、电阻R3的另一端和PMOS管PM2的栅极连接，PMOS管PM1的漏极与高压PMOS管PDM1的源极连接，PMOS管PM2的漏极与高压PMOS管PDM2的源极连接，高压PMOS管PDM2的漏极与电流源I2的一端和高压PMOS管PDM5的栅极连接，高压PMOS管PDM5的漏极与高压NMOS管NDM1的漏极连接，高压NMOS管NDM1的栅极连接偏置电压VBIAS，高压NMOS管NDM1的源极与电阻R4的一端连接并作为钳位环路的输出端产生信号VSEN，电流源I1的另一端、电流源I2的另一端和电阻R4的另一端接地。

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