北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司罗敏敏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京脑科学与类脑研究所;北京芯智达神经技术有限公司申请的专利一种热管理植入式脑机接口装置及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120549501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511061518.0，技术领域涉及：A61B5/293；该发明授权一种热管理植入式脑机接口装置及其封装方法是由罗敏敏;张垒;敖永贤;王旋;孙雪婷;丁琦设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热管理植入式脑机接口装置及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种热管理植入式脑机接口装置及其封装方法。所述热管理植入式脑机接口装置，包括：与头皮组织接触的第一壳体，以及与头骨或脑组织接触的第二壳体；所述第一壳体与第二壳体配合形成密封的外壳封装件，所述外壳封装件内部容纳脑机接口装置电子元件；所述第一壳体材质为热的良导体；所述第二壳体材质为热的不良导体。本发明提供的热管理植入式脑机接口装置，在不增大设备体积，不降低其性能的前提下，通过采用不同热学性能的外壳材质进行封装，避免热量主要向脑组织扩散，最大可能减少脑组织热损伤。
本发明授权一种热管理植入式脑机接口装置及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种热管理植入式脑机接口装置，其特征在于，所述热管理植入式脑机接口装置固定在头骨上或贯穿头骨嵌入，埋入头皮下，包括：与头皮组织接触的第一壳体以及与头骨或脑组织接触的第二壳体； 所述第一壳体与第二壳体配合形成密封的外壳封装件，所述外壳封装件内部容纳脑机接口装置电子元件； 所述第一壳体材质为热的良导体，所述第一壳体导热系数在5-200Wm·K之间； 所述第二壳体材质为热的不良导体，所述第二壳体的导热系数在0.2-0.5Wm·K之间。
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