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龙图腾网获悉四川惟芯科技有限公司申请的专利一种固态硬盘快速硬销毁方法、装置、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120509062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510998436.2，技术领域涉及：G06F21/79；该发明授权一种固态硬盘快速硬销毁方法、装置、系统及存储介质是由刘友松;陈旭东;陈济文;赵世辰;曹大亮;谢佳设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种固态硬盘快速硬销毁方法、装置、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种固态硬盘快速硬销毁方法、装置、系统及存储介质，属于数据处理技术领域；固态硬盘快速硬销毁方法，具体包括如下步骤：接收外部输入的销毁电压信号，通过单片机生成周期性方波控制信号，所述方波信号的高低电平占空比由电容充放电电路的充放电时间决定，控制MOS管开关电路切换正常供电电路与销毁电路的通断；通过电容充放电电路生成脉冲电压，所述脉冲电压施加至固态硬盘的Flash芯片电源引脚，以烧毁存储芯片，达到销毁数据的目的。本发明采用电容充放电形成脉冲电压的形式进行销毁，降低供电电路压力，保证每片Flash芯片充分烧毁，数据没有恢复的风险。

本发明授权一种固态硬盘快速硬销毁方法、装置、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种固态硬盘快速硬销毁装置，其特征在于，包括： 信号接收模块，用于接收外部输入的销毁电压信号； 单片机控制模块，与所述信号接收模块连接，用于生成周期性方波控制信号； MOS管开关模块，与所述单片机控制模块连接，用于根据方波控制信号切换正常供电电路与销毁电路； 电容充放电模块，与所述MOS管开关模块连接，用于生成脉冲电压并输出至Flash芯片；所述MOS管开关模块包括NMOS管和PMOS管组成的组合电路，用于在销毁状态下完全隔离正常供电电路与Flash芯片的连接； 所述电容充放电模块包括并联的多个储能电容，单个电容的容量为0.1-10μF，额定电压为63-100V，按照50%降额设计，且总容值不小于100μF； 具体包括如下步骤： 利用信号接收模块接收销毁指令，通过单片机控制MOS管开关模块和电容充放电模块； 实时采集温度传感器监测的Flash芯片表面温度和电流检测电路反馈的Flash电源引脚实时电流值； 单片机固件中嵌入多级状态机，根据采集的温度和电流值动态调整销毁参数，所述销毁参数包括电压、脉冲占空比和阶段时长； 所述多级状态机控制进行多级销毁，包括预热与预损毁阶段、主销毁阶段、强化销毁阶段和冷却与复位阶段； 其中，预热与预损毁阶段采用低电压脉冲使Flash芯片内部结构逐渐受损，主销毁阶段利用标准参数确保核心数据区域的物理破坏，强化销毁阶段在主销毁阶段结束后电流值高于阈值时自动触发，针对顽固区域施加更高能量，冷却与复位阶段停止脉冲输出并进行系统自检生成销毁报告； 进一步的，所述动态调整销毁参数具体为： 在预热与预损毁阶段，电压为20V且可通过外部输入以2V步长动态调节，方波占空比为1:5，脉冲次数为5次，间隔100ms； 主销毁阶段，电压为28V，方波占空比为1:10，脉冲持续至电流检测值低于10mA； 强化销毁阶段，电压为32V，方波占空比为1:15，脉冲次数为3次，间隔50ms。

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