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山东力冠微电子装备有限公司宋德鹏获国家专利权

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龙图腾网获悉山东力冠微电子装备有限公司申请的专利一种沉积腔室结构及MPCVD设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120272886B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510590018.X,技术领域涉及:C23C16/511;该发明授权一种沉积腔室结构及MPCVD设备是由宋德鹏;张正伟;马士国设计研发完成,并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

一种沉积腔室结构及MPCVD设备在说明书摘要公布了:一种沉积腔室结构及MPCVD设备,属于金刚石合成设备领域。技术方案为:一种沉积腔室结构,包括底座,底座上固定设有管状的石英窗口,石英窗口上方密封连接有上盖,石英窗口的外侧套设有金属环,金属环的中间区域设有若干横向设置和竖向设置的微波馈入缝隙,金属环中间区域的外侧套设有谐振金属腔体,谐振金属腔体用于与微波源连接,石英窗口内设有能够多级升降的生长基台,增加了微波馈入的维度,以在生长基台上方耦合形成放电区域大、均匀稳定且能量密度高的等离子体,且生长基台能够多级升降,以优化生长样品的沉积质量,扩大生长样品的沉积区域,实现高品质大尺寸金刚石晶体的制备。

本发明授权一种沉积腔室结构及MPCVD设备在权利要求书中公布了:1.一种沉积腔室结构,包括:底座19,底座19上固定设有管状的石英窗口13,石英窗口13上方密封连接有上盖11,其特征在于,石英窗口13的外侧套设有金属环14,金属环14的中间区域设有若干横向设置和竖向设置的微波馈入缝隙16,金属环14中间区域的外侧套设有谐振金属腔体17,谐振金属腔体17用于与微波源连接,石英窗口13内设有能够多级升降的生长基台21; 横向设置的微波馈入缝隙16沿金属环14的环向间隔分布,每两个相邻横向设置的微波馈入缝隙16之间设有一个竖向设置的微波馈入缝隙16,竖向设置的微波馈入缝隙16位于金属环14远离微波源的一侧,相邻两个横向设置的微波馈入缝隙16之间夹角为60°~120°。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人山东力冠微电子装备有限公司,其通讯地址为:250000 山东省济南市槐荫区太平河北路宽禁带半导体产业园E座;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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