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龙图腾网获悉江西欣荣锂电材料有限公司申请的专利半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120270981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510441022.X，技术领域涉及：C01B32/15；该发明授权半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件是由周宪聪;吴玉祥;温靖彦;阙志豪设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件，纯化方法包括：将等静压处理的石墨块以0.5‑1mmmin的速度浸入硝酸和硫酸按3:1比例配制的复合酸溶液中进行梯度升温化学处理；将处理后的石墨块置于高真空环境中进行三段式精确控温加热和程序控制降温；采用氩气等离子体和氦‑氩混合等离子体进行表面净化；在‑180℃至‑200℃的低温环境下通入高纯氦气进行循环深度纯化。本发明通过集成多维纯化技术，建立温和化学处理‑精确热力纯化‑低温氦气深度净化工艺体系，实现了石墨块纯度达99.9995％‑99.9999％，杂质含量低至1‑5ppb，满足5nm及以下工艺节点半导体制造需求。

本发明授权半导体用石墨块及其纯化方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体用石墨块的纯化方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取等静压处理的石墨块，将所述石墨块浸入复合酸溶液中进行梯度升温化学处理，并通过缓冲液中和与超声波辅助清洗，得到初步去除表面和浅层杂质的石墨块，所述石墨块浸入所述复合酸溶液的速度为0.5-1mmmin，所述复合酸溶液由硝酸和硫酸按体积比3:1混合配制，酸液浓度为50-60%； 将所述初步去除表面和浅层杂质的石墨块置于高真空环境中，进行三段式加热并在最高温度下保温预设时间，随后进行降温，得到内部杂质含量低于10ppm的石墨块，包括： 将所述初步去除表面和浅层杂质的石墨块置于高纯石墨坩埚中，放入真空热处理炉，抽真空至10-4Pa以下； 从室温至800℃，升温速率为4-6℃min； 从800℃至2200℃，升温速率为2-4℃min； 从2200℃至2800℃，升温速率为1.5-2.5℃min； 在2800℃下对所述石墨块保温2-4小时； 将所述内部杂质含量低于10ppm的石墨块置于等离子体处理腔室中，进行等离子体处理，得到表面杂质含量低于1ppm的石墨块，包括： 将所述内部杂质含量低于10ppm的石墨块置于等离子体处理腔室中，抽真空； 通入高纯氩气控制腔室压力至10-5Pa，对所述石墨块进行氩气等离子体处理； 氩气等离子体处理结束后，抽真空； 向所述等离子体处理腔室通入氦气和氩气的混合气体，控制所述腔室压力至10-5Pa，对所述石墨块进行氦-氩混合等离子体处理，得到所述表面杂质含量低于1ppm的石墨块； 将所述表面杂质含量低于1ppm的石墨块置于低温环境下，通入高纯氦气进行循环净化，得到纯度为99.9995%-99.9999%的石墨块，包括： 将所述表面杂质含量低于1ppm的石墨块置于低温腔室，控制温度在-180℃至-200℃； 通入纯度大于99.9999%的高纯氦气对所述石墨块进行循环冲刷，控制氦气流速为5-10Lmin，循环时间为8-12小时，得到所述纯度为99.9995%-99.9999%的石墨块。

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